[实用新型]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板。 

背景技术

氧化物有源层，如铟镓锌氧化物IGZO（indium gallium zinc oxide）作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，是用于新一代TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示）技术中的沟道层材料。 

现有技术中，氧化物薄膜晶体管Oxide TFT阵列基板的制作通常需要采用至少六次构图工艺，具体过程如下： 

1、通过第一次构图工艺形成栅极和栅线图形； 

2、通过第二次构图工艺形成栅绝缘层和氧化物有源层图形； 

3、通过第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形； 

4、通过第四次构图工艺形成数据线、源极、漏极和TFT沟道图形； 

5、通过第五次构图工艺形成钝化层图形； 

6、通过第六次构图工艺形成像素电极图形。 

然而，每一次构图工艺都需要镀膜、光刻、刻蚀和剥离等工艺，这使得Oxide TFT阵列基板的生产周期较长，生产工艺复杂，成本较高。 

发明内容

本发明的实施例提供一种Oxide TFT阵列基板及显示面板，该Oxide TFT的生产工艺简单，制作成本较低。 

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 

一方面，本发明实施例提供了一种Oxide TFT阵列基板，所述阵 列基板包括： 

基板； 

在所述基板上设置有由栅金属层薄膜形成的包括栅线和栅极图形； 

在设置有所述栅线和栅极的基板上，设置有由栅绝缘层薄膜、氧化物有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜依次形成的包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形； 

在设置有所述栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层的基板上，还设置有包括数据线、源极、漏极和像素电极图形，所述源极与所述数据线连接，所述漏极与所述像素电极相连。 

可选的，在所述基板上，还设置有由栅金属层薄膜形成的包括与栅线交叉设置且在与栅线交叉重叠处断开的数据线初始图形； 

在设置有所述栅线、栅极图形的基板上，在所述每段断开的数据线初始图形的上方还设置有至少一个数据线连接过孔图形； 

在设置有所述栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层图形的基板上，还设置有连接电极图形；在与所述栅线交叉的方向上，每个连接电极通过两两相邻的数据线连接过孔，将两两相邻的断开的数据线初始图形相连接，形成数据线图形。 

可选的，在设置有所述栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层图形的基板上，还设置有连接电极图形，具体为： 

所述源极、漏极、像素电极和连接电极由透明导电薄膜形成。 

一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例提供的所述Oxide TFT阵列基板。 

本发明实施例提供的一种Oxide TFT阵列基板及显示面板，该阵列基板，在设置有栅线和栅极图形的基板上，可通过一次构图工艺设置包括栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层图形。这样在Oxide TFT阵列基板的制作过程中，不需要通过三次构图工艺才能形成栅绝缘层、氧化物有源层和刻蚀阻挡层图形，这使得该Oxide TFT的生产工艺简单，制作成本较低。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本发明实施例提供的一种Oxide TFT阵列基板的俯视结构示意图； 

图1a为图1所示的Oxide TFT阵列基板沿A-A向的剖视结构示意图； 

图2为本发明实施例提供的另一种Oxide TFT阵列基板的俯视结构示意图； 

图3为图2所示的Oxide TFT阵列基板沿A-A向的剖视结构示意图； 

图4为图2所示的Oxide TFT阵列基板沿B-B向的剖视结构示意图； 

图5为本发明实施例提供的又一种Oxide TFT阵列基板的俯视结构示意图； 

图6为本发明实施例提供的一种Oxide TFT阵列基板的制作方法流程图；