[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效
申请号: | 201320087601.1 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN203117619U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 马小叶;金在光;尹傛俊;涂志中 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
背景技术
薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于其具有体积小、功耗低、无辐射等优点,是较为理想的显示设备。近年来,TFT-LCD在显示领域的应用范围逐步扩大,相关的技术也发展迅速。
在液晶显示器显示质量的评价项目中,偏绿色Greenish指数是一个很重要的项目,Greenish指数要控制在客户规定的范围之内。近年来,随着显示器分辨率及显示器尺寸的不断提高,偏绿色防止设计变得越来越重要。
目前,针对应用氧化物晶体管工艺的像素结构的液晶显示器,其降低Greenish指数的方法主要是通过在上下行相邻的像素上设置矩阵式公共电极单元,使上下行相邻的像素间的公共电极导通,降低公共电极的电阻来降低Greenish指数。如图1所示,包括TFT单元1、数据线2、像素电极3、栅电极线4、公共电极线5以及矩阵式公共电极单元6,该矩阵式公共电极单元6内,上下行相邻的像素的公共电极线通过与像素电极ITO同层的ITO导线导通,形成矩阵式的相互连接的公共电极,从而达到降低Greenish指数的目的。但是此方法中,由于矩阵式公共电极单元6须设置在上下行相邻的像素内,因此使得像素开口率降低,而且液晶显示器的分辨率越高开口率降低的比例越大。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种阵列基板及液晶显示装置,以解决现有工艺 制作阵列基板时,在降低Greenish指数的同时会降低像素开口率的问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
本实用新型实施例提供一种阵列基板,包括一基板,所述基板上形成有栅极金属层,所述栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线;
形成于所述栅电极线和所述第一公共电极线之上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上形成有若干第一过孔;
形成于所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层具有氧化物有源层;
形成于所述氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层,所述ESL层上形成有若干第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔一一对应;
形成于所述ESL层之上的数据线金属层,所述数据线金属层具有数据线和第二公共电极线,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线的一部分相对应;位置对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线经所述第一过孔和所述第二过孔连接;
形成于所述数据线与所述第二公共电极线之上的钝化层;
形成于所述钝化层之上的透明电极层ITO层,所述ITO层上具有像素电极。
优选的,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、顶端和右端的区域,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的顶端区域对应。
优选的,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、末端和右端的区域,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的末端区域对应。
优选的,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线的宽度小于或等于所述第一公共电极线与之对应的部分的宽度。
优选的,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线之间设置有至少两个所述第一过孔和所述第二过孔。
优选的,所述第一过孔和所述第二过孔为矩形、圆形、梯形、三角形、菱形或规则的多边形。
优选的,所述栅电极线和所述第一公共电极线为同层设置且同步形成。
优选的,所述数据线和所述第二公共电极线为同层设置且同步形成。
本实用新型实施例提供一种液晶显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本实用新型实施例有益效果如下:通过设置双层公共电极线,大大降低显示区域内公共电极线的电阻,在降低Greenish指数的同时,保证较高的像素开口率。
附图说明
图1为现有技术阵列基板的局部俯视示意图;
图2为本实用新型实施例所述阵列基板的局部俯视示意图;
图3为本实用新型实施例所述阵列基板的局部剖面示意图;
图4为根据本实用新型实施例所述阵列基板的局部剖面示意图,所示出的第一过孔的示意图;
图5为根据本实用新型实施例所述阵列基板的局部剖面示意图,所示出的第二过孔的示意图;
图6为本实用新型实施例所述阵列基板中的像素电极、公共电极线、栅电极线和TFT单元的位置示意图。
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