[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效
申请号: | 201320087601.1 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN203117619U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 马小叶;金在光;尹傛俊;涂志中 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括一基板,其特征在于:所述基板上形成有栅极金属层,所述栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线;
形成于所述栅电极线和所述第一公共电极线之上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上形成有若干第一过孔;
形成于所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层具有氧化物有源层;
形成于所述氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层,所述ESL层上形成有若干第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔一一对应;
形成于所述ESL层之上的数据线金属层,所述数据线金属层具有数据线和第二公共电极线,所述第二公共电极线与所述第一公共电极线的一部分相对应;位置对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线经所述第一过孔和所述第二过孔连接;
形成于所述数据线与所述第二公共电极线之上的钝化层;
形成于所述钝化层之上的透明电极层ITO层,所述ITO层具有像素电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、顶端和右端的区域,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的顶端区域对应。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、末端和右端的区域,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的末端区域对应。
4.如权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线的宽度小于或等于所述第一公共电极线与之对应的部分的宽度。
5.如权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线之间设置有至少两 个所述第一过孔和所述第二过孔。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔和所述第二过孔为矩形、圆形、梯形、三角形或菱形。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅电极线和所述第一公共电极线为同层设置且同步形成。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线和所述第二公共电极线为同层设置且同步形成。
9.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320087601.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:中药组合物
- 下一篇:激光测距机便携式光轴检测系统