[实用新型]层叠体和半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及层叠体和半导体装置。

背景技术

近年，对于半导体芯片与基板的连接，在半导体芯片或基板上形成被称作凸块的导电性突起，将半导体芯片与基板直接连接的倒装芯片连接方式（FC连接方式）正在普及。

倒装芯片连接方式中，导电性突起通常由焊锡、锡、金、银、铜、镍和包含这些金属中的多种的导电材料等形成，但存在如果这样的导电性突起的表面氧化而生成氧化膜，则连接性降低的情况。

因此，专利文献1～4中，出于除去导电性突起表面的氧化膜的目的，提出了使半导体材料中含有焊剂的方法（例如，参照专利文献2～5）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001－223227号公报

专利文献2：日本特开2002－283098号公报

专利文献3：日本特开2005－272547号公报

专利文献4：日本特开2006－169407号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

对于专利文献1～4中记载的半导体材料而言，认为：通过半导体芯片与基板隔着半导体材料进行热压接时的加热，使焊剂与氧化膜发生反应而将氧化膜除去。

本实用新型的目的在于，提供一种与使用以往的半导体材料的情况相比，耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置和用于制作该半导体装置的层叠体。

解决问题的方法

本实用新型的一个方式提供一种层叠体，其为在半导体晶片的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体，所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子，所述层叠体具备：由上述树脂薄膜形成的树脂组合物层；以及利用上述焊剂将上述氧化膜的至少一部分还原除去，从而使上述连接端子的至少一部分在上述树脂组合物层中露出的上述半导体晶片。

本方式的层叠体中，通过层压树脂薄膜时的加热，半导体晶片的连接端子上的氧化膜被除去，该连接端子在树脂组合物层中露出。由此，通过使用事先除去了氧化膜的层叠体，可以制作耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。

另外，本实用新型的一个方式提供一种层叠体，其为在半导体晶片的主面上涂布含焊剂的树脂糊而得到的层叠体，所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子，所述层叠体具备：由上述树脂糊形成的树脂组合物层；以及利用上述焊剂将上述氧化膜的至少一部分还原除去，从而使上述连接端子的至少一部分在上述树脂组合物层中露出的上述半导体晶片。

本方式的层叠体中，半导体晶片的连接端子上的氧化膜被除去，该连接端子在树脂组合物层中露出。另外，本方式中，氧化膜的除去例如可以通过从涂布的树脂糊中除去溶剂时的加热等来进行。另外，本方式的层叠体也可以是为了除去氧化膜而实施树脂组合物层不固化程度的加热所制作的层叠体。由此，通过使用事先除去了氧化膜的层叠体，能够制作耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。

另外，本实用新型的一个方式提供一种层叠体，其为在基板的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体，所述基板的该主面上具有被氧化膜或有机膜被覆的连接端子，所述层叠体具备：由上述树脂薄膜形成的树脂组合物层；以及将上述氧化膜以及上述有机膜的至少一部分除去，从而使上述连接端子的至少一部分在上述树脂组合物层中露出的上述基板。

本方式的层叠体中，通过层压树脂薄膜时的加热，基板的连接端子上的氧化膜（或有机膜）被除去，该连接端子在树脂组合物层中露出。由此，通过使用事先除去了氧化膜（或有机膜）的层叠体，能够制作耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。另外，上述有机膜是用于防止连接端子氧化而设置的有机膜，例如，是通过有机膜处理（OSP（Organic Solderability Preservative：有机保焊膜）而形成的抗氧化用有机膜。

另外，本实用新型的一个方式提供一种层叠体，其为在基板的主面上涂布含焊剂的树脂糊而得到的层叠体，所述基板的该主面上具有被氧化膜或有机膜被覆的连接端子，所述层叠体具备：由上述树脂糊形成的树脂组合物层；以及将上述氧化膜或上述有机膜的至少一部分除去，从而使上述连接端子的至少一部分在上述树脂组合物层中露出的前述基板。