[实用新型]层叠体和半导体装置有效
申请号: | 201320085513.8 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN203826364U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 本田一尊;永井朗;佐藤慎 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 半导体 装置 | ||
1.一种层叠体,其特征在于,其为在半导体晶片的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体,所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子,所述层叠体具备:
由所述树脂薄膜形成的树脂组合物层;以及
利用所述焊剂将所述氧化膜的至少一部分还原除去,从而使所述连接端子的至少一部分在所述树脂组合物层中露出的所述半导体晶片。
2.一种层叠体,其特征在于,其为在半导体晶片的主面上涂布含焊剂的树脂糊而得到的层叠体,所述半导体晶片的该主面上具有被氧化膜被覆的连接端子,所述层叠体具备:
由所述树脂糊形成的树脂组合物层;以及
利用所述焊剂将所述氧化膜的至少一部分还原除去,从而使所述连接端子的至少一部分在所述树脂组合物层中露出的所述半导体晶片。
3.一种层叠体,其特征在于,其为在基板的主面上层压含焊剂的树脂薄膜而得到的层叠体,所述基板的该主面上具有被氧化膜或有机膜被覆的连接端子,所述层叠体具备:
由所述树脂薄膜形成的树脂组合物层;以及
将所述氧化膜或所述有机膜的至少一部分除去,从而使所述连接端子的至少一部分在所述树脂组合物层中露出的所述基板。
4.一种层叠体,其特征在于,其为在基板的主面上涂布含焊剂的树脂糊而得到的层叠体,所述基板的该主面上具有被氧化膜或有机膜被覆的连接端子,所述层叠体具备:
由所述树脂糊形成的树脂组合物层;以及
将所述氧化膜或所述有机膜的至少一部分除去,从而使所述连接端子的至少一部分在所述树脂组合物层中露出的所述基板。
5.一种半导体装置,其特征在于,将对权利要求1或2所述的层叠体进行单片化而得到的、在设有连接端子的主面上具备树脂组合物层的半导体芯片和在主面上具有连接端子的基板的配置方式为按照所述半导体芯片的所述主 面与所述基板的所述主面隔着所述树脂组合物层相对的方式,并且所述半导体芯片的所述连接端子与所述基板的所述连接端子利用加热加压而电连接。
6.一种半导体装置,其特征在于,将权利要求3或4所述的层叠体和在主面上具有连接端子的半导体芯片的配置方式为按照所述基板的所述主面与所述半导体芯片的所述主面隔着所述树脂组合物层相对的方式,并且所述基板的所述连接端子与所述半导体芯片的所述连接端子利用加热加压而电连接。
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