[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化处理装置。

背景技术

随着电气以及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀剂、焊料抗蚀剂为首的感光性树脂（感光性材料），要求用于与印刷配线板的高密度化对应的高分辨率。这些感光性材料如下地制作：将作为原料的感光性树脂曝光后显影而形成图像。

为了与印刷配线板的小型化、高功能化对应，感光性树脂具有薄膜化的倾向。感光性树脂具有涂敷液体而使用的类型（液状抗蚀剂）和干膜类型（干膜抗蚀剂）。最近，开发了15μm以下的厚度的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂时，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性以及对凹凸的追随性不充分，存在产生剥离及空隙等的问题。

为了改善上述的点，提出了使用厚的感光性树脂并能够实现高分辨率的各种的手段。例如，在利用减去法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或者两面设置金属层形成层叠基板，在该层叠基板上贴付干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序（例如参照专利文献1）。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电图案的回路基板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案的曝光工序，再次进行包含抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序（例如专利文献2以及3）。

薄膜化工序至少包含使用碱性水溶液令未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分胶束化的胶束化处理（薄膜化处理）、利用pH5～9的碱性水溶液除去胶束的胶束除去处理、用水清洗表面的水洗处理、除去清洗水的干燥处理的四阶段的处理。而且，利用碱性水溶液中的薄膜化处理的处理时间来控制薄膜化的进行。但是，在碱性水溶液中存在气泡，在该气泡与未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分接触时，存在与气泡接触的部分的薄膜化的进行受到妨碍的问题。在薄膜化的进行受到妨碍的部分，抗蚀剂层变厚而残存，所以在减去法的导电图案形成中成为蚀刻不良的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中，成为连接焊盘部的接触不良的原因，都会产生导致生产的成品率下降的问题。

进而，在曝光工序后，经由包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，再次进行曝光工序，接着，再次进行包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，这种情况下，气泡的接触对于抗蚀剂层的薄膜化的阻害变得更为严重。在通过反复进行曝光工序和薄膜化工序而阶段地令未曝光部的抗蚀剂层薄膜化时，在形成于抗蚀剂层的曝光部和未曝光部的边界的阶梯部处特别容易残存气泡，气泡接触了的部分的抗蚀剂层的薄膜化在之后受到妨碍。例如，在反复进行两次曝光工序和包含薄膜化处理的薄膜化工序时，在第二次的薄膜化部位于与第一次的薄膜化部相同或者其内侧的区域时，在第二次的薄膜化处理时，在形成于第一次的曝光部和第一次的薄膜化部的边界处的阶梯内部有容易残存气泡的倾向。

此外，在专利文献4中公开了一种将形成有抗蚀剂层的基板在薄膜化处理液（碱性水溶液）中浸渍（dip）而用于令抗蚀剂层薄膜化的薄膜化处理装置。对于专利文献4公开的薄膜化处理装置，使用附图进行说明。图5以及6是专利文献4所记载的薄膜化处理装置的概略剖视图。图5是从垂直于基板的运送方向（MD方向）的方向（CD方向）看的概略剖视图，图6是从基板的运送方向（MD方向）看的概略剖视图。在该薄膜化处理装置中，利用运送辊对12将形成有抗蚀剂层的基板8在浸渍于浸渍槽10中的碱性水溶液9中的状态下进行运送，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。碱性水溶液9从装置下部的碱性水溶液贮藏容器13借助碱性水溶液供给泵14而经由碱性水溶液供给口11被供给至浸渍槽10，令其溢流。溢流后的碱性水溶液9被回收到碱性水溶液回收槽30，通过回收管21而从回收管排出口22排出，被贮藏于碱性水溶液贮藏容器13。通过反复进行而令碱性水溶液9在浸渍槽10与碱性水溶液贮藏容器13之间循环。

在图5以及6所示的薄膜化处理装置中，在令碱性水溶液9循环时，在由于溢流而碱性水溶液9从浸渍槽10向碱性水溶液贮藏容器13落下时，在碱性水溶液9中产生气泡15，该气泡15借助碱性水溶液9的循环而附着于基板8的抗蚀剂层，阻碍薄膜化的进行，有时会产生膜厚变得不均的处理不均。

专利文献1：国际公开第2009/096438号手册

专利文献2：日本特开2011-192692号公报

专利文献3：国际公开第2012/043201号手册