[实用新型]一种像素结构有效
申请号: | 201320069916.3 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN203055914U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 成军;陈海晶;王东方;孔祥永 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种像素结构。
背景技术
有机发光显示器是一种新型的显示器件,与液晶显示器相比,有机发光显示器具有自发光、响应速度快和宽视角等优点,而且可以进行柔性显示、透明显示和3D显示,因而得到了快速发展与普及。实现有机发光显示器显示彩色的方式有多种,比如,RGB(红绿蓝)全彩OLED(有机发光二极管)方式、WOLED-CF(白色OLED及其红、绿、蓝、白四色彩色滤光片)方式和WOLED-COA(白色OLED及其彩色滤波阵列)方式等,其中,WOLED-COA实现方式由于在基板上直接制备彩色薄膜,因而具有彩色效果好、工艺简单和生产成本低等特点,从而得到了广泛的应用。
在采用WOLED-COA方式实现有机发光显示器显示彩色时,针对有机发光显示器包含的多个像素结构中的各个像素结构,所述各个像素结构包括OLED层和彩色薄膜层,其中,OLED层用于产生白色的光,彩色薄膜层用于将OLED层产生的白光变为彩色光。由于从OLED层发出的白光是射向各个方向的,因而OLED层发出的白光经过彩色薄膜层后,形成的彩色光的强度比较小,从而导致所述有机发光显示器的显示亮度较低。
综上所述,目前的有机发光显示器包含的像素结构中,从OLED层发出的白光是射向各个方向的,因而OLED层发出的白光经过彩色薄膜层后,形成的彩色光的强度比较小,从而导致所述有机发光显示器的显示亮度较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供的一种像素结构,用以解决现有技术中存在的有机发光显示器的显示亮度较低的问题。
本实用新型实施例提供的一种像素结构,包括基板,设置于基板上的有机发光层,还包括:
有机聚光层,用于聚集有机发光层产生的光。
本实用新型实施例提供的像素结构包括基板,设置于基板上的有机发光层,还包括用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层,由于有机聚光层能够将来自有机发光层的光聚集,使得穿过有机聚光层的光的强度增强,从而提高了有机发光显示器的显示亮度。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的第一像素结构的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中的第二像素结构的结构示意图;
图3A~图3D为本实用新型实施例有机聚光层在基板上的投影示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供的像素结构包括基板,设置于基板上的有机发光层,还包括用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层,由于有机聚光层能够将来自有机发光层的光聚集,使得穿过有机聚光层的光的强度增强,从而提高了有机发光显示器的显示亮度。
需要说明的是,本实用新型实施例中的一个像素结构即为一个像素单元。
下面结合说明书附图对本实用新型实施例作进一步详细描述。
本实用新型实施例提供的像素结构,包括基板,设置于基板上的有机发光层,还包括:
用于聚集有机发光层产生的光的有机聚光层。
较佳地,有机聚光层的材料为透光率值大于特定阈值的有机材料。
具体实施中,特定阈值可以根据需要设定,比如,设定为95%。
较佳地,有机聚光层为透明有机膜,比如,有机聚光层为由丙烯酸树脂((C3H4O2)n)或者丙烯酸树脂的衍生物形成的透明有机膜。
较佳地,根据有机聚光层与有机发光层的位置关系,本实用新型实施例提供两类不同的像素结构,分别为第一像素结构和第二像素结构,下面将分别进行介绍。
第一像素结构,有机聚光层设置于彩色薄膜层的上方,并且设置于有机发光层的下方。
如图1所示,本实用新型实施例提供的第一像素结构包括基板100,设置于基板100上的薄膜晶体管101,设置于基板100上且部分覆盖薄膜晶体管101的第一钝化层102,设置于第一钝化层102上的彩色薄膜层103,设置于彩色薄膜层103上的平坦化层104,设置于平坦化层104上的第二钝化层105,设置于第二钝化层105上且与薄膜晶体管101电性连接的透明电极层106,设置于透明电极层106上的像素电极层107,设置于像素电极层107上的OLED层(即,有机发光层)108,设置于有机发光层108上的阴极金属层109。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的