[实用新型]一种像素结构有效
| 申请号： | 201320069916.3 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN203055914U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 成军;陈海晶;王东方;孔祥永 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张恺宁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 | ||
1.一种像素结构，包括基板，设置于所述基板上的有机发光层，其特征在于，还包括：
有机聚光层，用于聚集所述有机发光层产生的光。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括彩色薄膜层，所述有机聚光层设置于所述有机发光层的下方且设置于所述彩色薄膜层的上方。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括平坦化层，所述平坦化层设置于所述有机发光层的下方且设置于有机聚光层的上方。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层的光折射率小于平坦化层的光折射率。
5.如权利要求2~4任一所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层包括至少一个第一透镜单元。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元为凸透镜。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元平行于基板方向的截面为圆形、椭圆形或者矩形。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第一透镜单元垂直于基板方向的截面的形状为圆弧形。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括有机保护层，所述有机聚光层设置于所述有机发光层的上方且设置于所述有机保护层的下方。
10.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述有机保护层的光折射率小于有机聚光层的光折射率。
11.如权利要求9或10所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层包括至少一个第二透镜单元。
12.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元为凹透镜。
13.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元平行于基板方向的截面的形状为圆形、椭圆形或者矩形。
14.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，所述第二透镜单元垂直于基板方向的截面的形状为圆弧形。
15.如权利要求1~4、6~10、12~14任一所述的像素结构，其特征在于，所述有机聚光层的材料为透明有机材料。
16.如权利要求15所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括用于将来自有机发光层的光射向各个方向的自由传输层，所述自由传输层在基板上的投影区域与所述有机聚光层在基板上的投影区域不重叠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
