[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶面板通常包括彩膜基板和阵列基板。液晶面板的生产工序通常包括阵列制程、组立制程以及模组制程。阵列制程主要包括阵列基板的生产过程。组立制程主要包括将阵列基板和彩膜基板贴合在一起的过程。模组制程则包括将FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)等电路进行组装的过程。

阵列基板上形成呈阵列排布的TFT(Thin-Film Transistor,薄膜晶体管)、电容和像素电极，以及形成于外围的驱动电极。驱动电极控制TFT的通断电，因此驱动电极连接TFT和FPC。组立制程中，将阵列基板和彩膜基板贴合在一起的步骤之前还包括在阵列基板和彩膜基板的边框处封胶的步骤。具体来说，封胶步骤包括灌胶和固化两个步骤。

OLED（Organic Electroluminesence Display，有机电激光显示）面板作为液晶面板的未来发展新趋势，其对水汽和氧气等物质非常敏感，因此其封装条件较苛刻。

现有技术中，OLED面板的封装工艺为灌胶后采用激光烘烤的方法使封框胶固化。激光固化的温度达1000℃甚至更高。然而，封框胶的涂覆位置与驱动电极的排布位置部分重合，若封框胶与驱动电极直接接触则固化过程中极易发生封框胶自驱动电极的位置处发生剥离的现象。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种改善封框效果的阵列基板及显示装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括基板、驱动电极、第一电容、源极、漏极和第一介电层，第一电容包括第一电容电极和第二电容电极，源极、漏极、驱动电极和第一电容电极形成于基板上，第一介电层覆盖源极、漏极、驱动电极和第一电容电极，第一介电层包括覆盖第一电容电极的第一区域和覆盖驱动电极的第二区域，第二区域的厚度大于第一区域的厚度，第二区域用于在其上形成玻璃熔胶，第二电容电极形成于第一区域上。

其中，第一区域的厚度为200~1000埃，第二区域的厚度为1000~8000埃。

其中，阵列基板进一步包括像素电极、有机材料层和间隔装置，像素电极形成于第一介质层上且连接源极，有机材料层位于第一介电层上且覆盖第二电极板，像素电极裸露出有机材料层，间隔装置于有机材料层上凸出设置。

其中，第二电容电极是金属材料或透明导电材料。

其中，阵列基板进一步包括第二介电层、半导体层、第三介电层、栅极、第四介电层和第二电容，第二电容包括第三电容电极和第四电容电极，第二介电层形成于基板上，半导体层和第三电容电极位于第二介电层和第三介电层之间，栅极和第四电容电极位于第三介电层和第四介电层之间，源极和栅极均与半导体层连接。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，显示装置包括阵列基板、彩膜基板和由玻璃熔胶围设的胶框；胶框位于阵列基板和彩膜基板之间；阵列基板包括基板、驱动电极、第一电容、源极、漏极和第一介电层，第一电容包括第一电容电极和第二电容电极，源极、漏极、驱动电极和第一电容电极形成于基板上，第一介电层覆盖源极、漏极、驱动电极和第一电容电极，第一介电层包括覆盖第一电容电极的第一区域和覆盖驱动电极的第二区域，第二区域的厚度大于第一区域的厚度，第二区域用于在其上形成玻璃熔胶，第二电容电极形成于第一区域上。

其中，第一区域的厚度为200~1000埃，第二区域的厚度为1000~8000埃。

其中，阵列基板进一步包括像素电极、有机材料层和间隔装置，像素电极形成于第一介质层上且连接源极，有机材料层位于第一介电层上且覆盖第二电极板，像素电极裸露出有机材料层，间隔装置于有机材料层上凸出设置。

其中，第二电容电极是金属材料或透明导电材料。

其中，阵列基板进一步包括第二介电层、半导体层、第三介电层、栅极、第四介电层和第二电容，第二电容包括第三电容电极和第四电容电极，第二介电层形成于基板上，半导体层和第三电容电极位于第二介电层和第三介电层之间，栅极和第四电容电极位于第三介电层和第四介电层之间，源极和栅极均与半导体层连接。