[实用新型]阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板、驱动电极、第一电容、源极、漏极和第一介电层，所述第一电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述源极、所述漏极、所述驱动电极和所述第一电容电极形成于所述基板上，所述第一介电层覆盖所述源极、所述漏极、所述驱动电极和所述第一电容电极，所述第一介电层包括覆盖所述第一电容电极的第一区域和覆盖所述驱动电极的第二区域，所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，所述第二区域用于在其上形成玻璃熔胶，所述第二电容电极形成于所述第一区域上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域的厚度为200~1000埃，所述第二区域的厚度为1000~8000埃。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括像素电极、有机材料层和间隔装置，所述像素电极形成于所述第一介质层上且连接所述源极，所述有机材料层位于所述第一介电层上且覆盖所述第二电极板，所述像素电极裸露出所述有机材料层，所述间隔装置于所述有机材料层上凸出设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电容电极是金属材料或透明导电材料。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第二介电层、半导体层、第三介电层、栅极、第四介电层和第二电容，所述第二电容包括第三电容电极和第四电容电极，所述第二介电层形成于所述基板上，所述半导体层和所述第三电容电极位于所述第二介电层和所述第三介电层之间，所述栅极和所述第四电容电极位于所述第三介电层和所述第四介电层之间，所述源极和所述栅极均与所述半导体层连接。

6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板、彩膜基板和由玻璃熔胶围设的胶框；胶框位于阵列基板和彩膜基板之间；所述阵列基板包括基板、驱动电极、第一电容、源极、漏极和第一介电层，所述第一电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述源极、所述漏极、所述驱动电极和所述第一电容电极形成于所述基板上，所述第一介电层覆盖所述源极、所述漏极、所述驱动电极和所述第一电容电极，所述第一介电层包括覆盖所述第一电容电极的第一区域和覆盖所述驱动电极的第二区域，所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，所述第二区域用于在其上形成所述玻璃熔胶，所述第二电容电极形成于所述第一区域上。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一区域的厚度为200~1000埃，所述第二区域的厚度为1000~8000埃。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板进一步包括像素电极、有机材料层和间隔装置，所述像素电极形成于所述第一介质层上且连接所述源极，所述有机材料层位于所述第一介电层上且覆盖所述第二电极板，所述像素电极裸露出所述有机材料层，所述间隔装置于所述有机材料层上凸出设置。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二电容电极是金属材料或透明导电材料。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第二介电层、半导体层、第三介电层、栅极、第四介电层和第二电容，所述第二电容包括第三电容电极和第四电容电极，所述第二介电层形成于所述基板上，所述半导体层和所述第三电容电极位于所述第二介电层和所述第三介电层之间，所述栅极和所述第四电容电极位于所述第三介电层和所述第四介电层之间，所述源极和所述栅极均与所述半导体层连接。