[实用新型]一种防窃电装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种防窃电装置。

背景技术

无人值守的用电设施，如通信基站等，其用电一般就近取自公共电网，经过电能计量装置、开关及安保装置、输电电线（或电缆）等输送到用电设施，如通信基站等，如图1示：高压市电通过变压器变压产生目前使用的220VAC(单相)电压，或者三相的380VAC，通过输电电线从供电端传送到用电端。从图1中可以看出，从供电端到用电端的输电电线（或电缆）是裸露在户外的，这将成为非法用户下手的目标。非法用户通常是在这段供电线路上私自拉线，直接盗电。

实用新型内容

本实用新型提供一种防窃电装置，以解决无法防止非法用户在供电端和合法用户的用电端之间的输电电线上私自拉线直接盗电的技术问题。

为了解决以上技术问题本实用新型的技术方案是： 

一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端的输电电线；在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线；所述的分相器包括二极管D1和二极管D2；所述的二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；所述的合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；所述的单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR2导通，在负半周时，控制和单向可控硅SCR1导通。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接微处理器输出

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZD1；所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极通过所述的限流电阻R3接正半周相位波形传输线，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，所述的击穿二极管的正极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；所述的光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地；所述的负半周相位波形过零检测电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，所述的击穿二极管ZD2的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；所述的光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

进一步的，上述的防窃电装置中：所述的第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻R1；所述的光耦U1输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U1的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦U1的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R1接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR1的栅极；所述的第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；所述的光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器输出，所述的光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。

进一步的，上述的防窃电装置中：在所述的光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端设置有由微处理器控制的继电器，其常闭触点接在所述的光耦U1的光敏二端开关元件两端和光耦U2的光敏二端开关元件两端。