[实用新型]一种防窃电装置

权利要求书

1.一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端相连接的输电电线；

其特征在于：在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

2.根据权利要求1所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线，其中，正半周相位波形传输线和负半周相位波形传输线上所传输的电流是原相线的一半；所述的分相器包括二极管D1和二极管D2；所述的二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；

所述的合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；所述的单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR1导通，在负半周时，控制单向可控硅SCR2导通。

3.根据权利要求2所述的防窃电装置，其特征在于：所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；

所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；

所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；

所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器输入，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接所述的微处理器输出。

4.根据权利要求3所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的正半周相位波形过零检测电路包括光耦U4、限流电阻R3、击穿二极管ZD1；所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极通过所述的限流电阻R3接正半周相位波形传输线，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阳极，所述的击穿二极管的正极接所述的光耦U4的输入发光二极管的阴极并零线传输线；所述的光耦U4的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地；

所述的负半周相位波形过零检测电路包括光耦U5、限流电阻R4、击穿二极管ZD2，所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极通过所述的限流电阻R4接负半周相位波形传输线，所述的击穿二极管ZD2的正极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阴极，所述的击穿二极管的负极接所述的光耦U5的输入发光二极管的阳极并接零线传输线；所述的光耦U5的输出三极管的集电极接所述的微处理器，发射极接地。

5.根据权利要求3所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的第一光耦隔离触发电路包括光耦U1、限流电阻R1；所述的光耦U1输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U1的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，所述的光耦U1的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R1接正半周相位波形传输线，另一端接所述的单向可控硅SCR1的栅极；

所述的第二光耦隔离触发电路包括光耦U2、限流电阻R2；所述的光耦U2输入端为发光二极管，输出端为光敏二端开关元件；所述的光耦U2的发光二极管的阳极接电源，阴极接微处理器，所述的光耦U2的光敏二端开关元件的一端通过所述的限流电阻R2接合相器输出端，经负载接零线传输线；另一端接所述的单向可控硅SCR2的栅极。

6.根据权利要求2至5中任一所述的防窃电装置，其特征在于：还包括与控制中心的通信端口，所述的微处理器通过所述的通信端口与控制中心相连，控制中心通过通信端口对合法用户的防窃电装置进行授权，利用微处理器使所述的第一、二光耦隔离触发电路轮流输出触发脉冲，使SCR1、SCR2轮流导通。