[实用新型]覆晶式发光元件

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种覆晶式发光元件。

背景技术

发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用在家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝高功率发展，因此其应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。

然而，发光二极管芯片在运作时会产生热能，而这些热能若是累积在发光二极管芯片中而未及时移除则会导致发光二极管芯片发光效率降低甚至是损坏。然而，为了达到较佳的散热效果，发光二极管元件常会需要一较大的空间规划，如此一来，发光二极管元件的厚度、体积及重量都无法减少。因而，如何同时兼顾发光二极管元件的体积大小与散热效果，是目前业界努力的目标。

实用新型内容

本实用新型提供一种覆晶式发光元件，具有较小的体积。

本实用新型提出一种覆晶式发光元件，其包括一承载基板、一发光二极管芯片以及一波长转换材料层。发光二极管芯片倒覆在承载基板上且与承载基板电性连接；承载基板的一表面面积介于发光二极管芯片在承载基板上的正投影面积的1倍至1.2倍之间；波长转换材料层配置在承载基板上且包覆发光二极管芯片。

在本实用新型的一实施例中，上述的波长转换材料层的侧壁切齐于承载基板的侧壁。

在本实用新型的一实施例中，上述的承载基板的厚度介于10微米至100微米。

在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片包括一芯片基板、一半导体层以及多个电极，半导体层位于芯片基板与电极之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的芯片基板的材质与承载基板的材质相同。

在本实用新型的一实施例中，上述的承载基板的厚度介于芯片基板的厚度的0.3倍至0.9倍之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的承载基板具有一图案化线路层，发光二极管芯片通过图案化线路层与承载基板电性连接。

在本实用新型的一实施例中，上述的承载基板具有一上表面，图案化线路层配置在上表面上。

在本实用新型的一实施例中，上述的承载基板具有一上表面，图案化线路层内埋于承载基板。

本实用新型的一实施例中，上述的图案化线路层的一表面切齐于承载基板的上表面。

在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片为一蓝光发光二极管芯片。

在本实用新型的一实施例中，上述的波长转换材料层为一黄色荧光材料层。

基于上述，由于本实用新型的承载基板上仅配置单颗发光二极管芯片，且覆晶式发光元件的承载基板的表面面积介于发光二极管芯片在承载基板上的正投影面积的1倍至1.2倍之间，且波长转换材料层配置在承载基板上并包覆发光二极管芯片。因此，本实用新型的覆晶式发光元件即为一单颗覆晶式发光二极管，可具有较小的体积。此外，本实用新型的覆晶式发光元件的承载基板厚度相较于现有的承载基板薄，因而本实用新型的覆晶式发光元件可具有较佳的散热效果。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A示出为本实用新型的一实施例的一种覆晶式发光元件的剖面示意图；

图1B示出图1A的覆晶式发光元件的俯视示意图；

图2示出为本实用新型的另一实施例的一种覆晶式发光元件的剖面示意图。

附图标记说明：

100a、100b：覆晶式发光元件；

110a、110b：承载基板；

111、131：侧壁；

112a、112b：上表面；

114a、114b：图案化线路层；

115a：表面；

120：发光二极管芯片；

122：芯片基板；

123：第一型半导体层；

124：半导体层；

125：发光层；

126：第一电极；

127：第二型半导体层；

128：第二电极；

130：波长转换材料层；

T、t：厚度。

具体实施方式