[实用新型]覆晶式发光元件有效
| 申请号： | 201320040107.X | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN203150604U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李允立;陈正言;许国君;苏柏仁;孙圣渊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光 元件 | ||
1.一种覆晶式发光元件，其特征在于，包括：
一承载基板；
一发光二极管芯片，倒覆在该承载基板上且与该承载基板电性连接，其中该承载基板的一表面面积介于该发光二极管芯片在该承载基板上的正投影面积的1倍至1.2倍之间；以及
一波长转换材料层，配置在该承载基板上且包覆该发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该波长转换材料层的侧壁切齐于该承载基板的侧壁。
3.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该承载基板的厚度介于10微米至100微米。
4.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该发光二极管芯片包括一芯片基板、一半导体层以及多个电极，该半导体层位于该芯片基板与该些电极之间。
5.根据权利要求4所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该芯片基板的材质与该承载基板的材质相同。
6.根据权利要求4所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该承载基板的厚度介于该芯片基板的厚度的0.3倍至0.9倍之间。
7.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该承载基板具有一图案化线路层，该发光二极管芯片通过该图案化线路层与该承载基板电性连接。
8.根据权利要求7所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该承载基板具有一上表面，该图案化线路层配置在该上表面上。
9.根据权利要求7所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该承载基板具有一上表面，该图案化线路层内埋于该承载基板。
10.根据权利要求9所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该图案化线路层的一表面切齐于该承载基板的该上表面。
11.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该发光二极管芯片为一蓝光发光二极管芯片。
12.根据权利要求1所述的覆晶式发光元件，其特征在于，该波长转换材料层为一黄色荧光材料层。
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