[实用新型]低温等离子体清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种对物体表面污染及氧化物进行还原清洗的设备，尤其是一种常温常压条件下的低温等离子体清洗设备。

背景技术

目前国内外电子封装行业利用等离子体清洗技术主要有两个工艺环节：其一是利用氧、氩混合气体对晶片芯圆蚀刻后的残留污染物进行腐蚀轰击清洗；其二是利用氢、氩混合气体对引线框架焊线前的氧化污染物进行还原分解剥离清洗。其所有的低温等离子体生成环境氛围都必须是在工作腔体真空状态下进行的，因此必然存在清洗过程周期长、清洗物品容积小、工艺过程不连贯、员工劳动强度大、设备价格昂贵、使用效率偏低等诸多不足。

类似于专利CN200510126280等技术方案公开了一种低温等离子体用于晶片芯圆清洗的设备。该类技术方案通常是先将真空腔体按要求用真空分子泵抽至一定真空度，之后通入介质气体进行自然扩散，随后施加射频功率源使之形成等离子体氛围场，用其对该真空腔体内的被清洗物品进行等离子清洗。所有过程一般均需要人工进行操作。特别是被清洗物品数量发生较大变化时，真空腔体内的电容量也随之发生变化，此时必然需要对射频电源进行阻抗匹配。故而设备使用效率不高，且设备中的射频电源、阻抗匹配器、真空分子泵、真空腔体等造价较高，不利于在封装生产线上对引线框架进行清洗的工艺环节中大量推广使用。

类似于专利CN200880128306等技术方案则公开了一种利用低温等离子体清洗引线框架的装置。该类技术方案形成的产品自动化程度较高，它一般是在上述技术方案中加入自动上料排片和自动下料装盒等辅助装置。由于该类装置精密度极高且体积较大，限制了用于引线框架清洗的真空腔体容积，故而整机效能不高，且整套清洗系统庞大、造价极高、维护复杂，只能在封装行业中用于高档芯片等不多的封装场合。

发明内容

本实用新型提供了一种常温常压条件下的低温等离子体清洗设备，该设备的构成和使用可以有效的解决现有技术和上述各种方案的诸多问题和不足。

为实现在常温常压条件下采用低温等离子体对芯片引线框架的有效清洗之目的，本实用新型的技术方案是：发明制造一种低温等离子体清洗设备，该设备构成包括有低温等离子体发生装置、多气体比例混合供给装置、物料输送装置、设备总控制器、高频高压电源、气源等，低温等离子体发生装置通过高频高压电缆与高频高压电源发生器电连接，其特征在于：所述低温等离子体发生装置、物料输送装置均设置在带有观察窗的密封反应仓内，该密封反应仓两端的进出物料口处各设置一个风门阻隔装置，所述物料输送装置由履带输送机构、自动上料机构、自动下料机构以及受控驱动电机组成，履带输送机构的履带呈水平设置，自动上料机构和自动下料机构分置履带两端并靠近反应仓进出物料口处，所述低温等离子体发生装置位于履带上方，数种气源经多气体比例混合供给装置和管道，进入低温等离子体发生装置的辉光放电腔体内，形成等离子体态工作气体束流并射向履带上的物料。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述低温等离子体发生装置由若干低温等离子体发生单元组成，各个低温等离子体发生单元均匀地排布于履带输送机构履带正上方和斜上方，每个低温等离子体发生单元均通过高频高压电缆与高频高压电源呈电连接，气源经多气体比例混合供给装置和管道送入每个低温等离子体发生单元的辉光放电腔体内，形成等离子体态工作气体束流并从不同方向射向履带上的物料。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述若干低温等离子体发生单元在履带正上方和斜上方空间位置上相对交错排列，低温等离子体发生单元所产生等离子体态工作气体束流喷射方向或垂直于履带平面或与履带平面的法线成三十度至六十度夹角。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述低温等离子体发生单元的辉光放电电极为针式阵列电极结构或为圆形针筒式电极结构。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述多气体比例混合供给装置是由气体流量调节阀、比例混合器、电磁控制气阀构成。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述气源为氩气、氢气、氧气、氮气、氦气、氟气。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述履带是由耐腐蚀抗静电的金属合金材料或氟塑料复合金属薄膜制成，所述受控驱动电机为可自调可受外控的变速电机。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述的自动上料机构和自动下料机构为吸盘式气动机械机构或磋轮式电动机械机构，自动上料机构和自动下料机构受设备总控制器控制。

在上述低温等离子体清洗设备技术方案中，所述密封反应仓内为自然条件下的常温常压状态。