[实用新型]新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体是一种新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统。

背景技术

目前，LCD制造业中用于封框胶固化的紫外线固化机的紫外光源主要是超高压水银灯等传统的紫外光源。紫外探测方式可分为热探测和光子探测。热探测是根据入射辐射的热效应引起探测材料某一物理性质变化而工作的一类探测。探测材料因吸收入射紫外辐射，温度升高，可以产生温差电动势、电阻率变化、自发极化强度变化、或者气体体积与压强变化等，测量这些物理性质的变化，就能够测量被吸收的辐射功率。紫外光电探测器是利用入射的光子流与探测材料中的电子之间直接相互作用，从而改变电子能量状态的光子效应来制作的一类方式。光电探测根据引起的光子效应的大小，可以测量被吸收的光子数。

热探测器最大的缺点在于无法避免可见光的辐射热效应，因此在实际应用中会有无法避免的背景干扰。传统的紫外光源在发出紫外线的同时也释放一定量的热，热量与紫外线的强度有一定的关系。一般的紫外线光强探测设有光电探头，长时间使用会精度下降，温度会对紫外线光强造成很大的影响，造成测量精度低。

为了解决以上问题，本实用新型做了有益改进。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型的目的是提供一种光电膜与电容效应相结合的新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，能够达到温度补正紫外光强测量的效果，不仅消除了温度对紫外线光强测量的影响，并且提高了测量精度。

（二）技术方案

本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种新型高敏紫外光强探测器，包括探测器衬底，所述探测器衬底上设置充有热探测气体的密闭腔室和电极，所述密闭腔室上侧由内至外依次被半导体形变膜、透紫外窗口薄膜覆盖；所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜之间形成真空腔，且所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜分别与电极连接。

其中，所述透紫外窗口薄膜的材质为纳米SiC薄膜。

此外，所述电极的材质为氧化铟锡。

而且，所述探测器衬底的材质为绝缘陶瓷。

本实用新型还提供一种紫外光强测控系统，包括如上任一所述的新型高敏紫外光强探测器、信号分析电路、可编辑逻辑控制器和紫外光强控制器，所述新型高敏紫外光强探测器、信号分析电路和可编辑逻辑控制器依次相连，且所述可编辑逻辑控制器与所述紫外光强控制器相连。

其中，所述信号分析电路通过信号放大器与可编辑逻辑控制器连接。

此外，还包括数模转换器和计算机，所述可编辑逻辑控制器、数模转换器和计算机依次相连。

其中，所述的计算机设有液晶触摸屏。

进一步，所述紫外光强控制器通过电流调节器与紫外光源连接。

而且，所述紫外光源为设有氟乙烯表面涂层的紫外光灯管。

（三）有益效果

与现有技术和产品相比，本实用新型有如下优点：

本实用新型提供的新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，通过热探测达到温度补正紫外光强测定的效果，不仅消除了温度对紫外线光强测量的影响，并且提高了测量精度。

附图说明

图1是本实用新型的新型高敏紫外光强探测器横截面结构示意图；

图2是本实用新型的紫外光强测控系统的连接示意框图；

图3是本实用新型中SiC薄膜的特定波长范围对应光强探测效果图。

附图中，各标号所代表的组件的列表如下:

1、透紫外窗口薄膜；2、真空腔；3、半导体形变膜；4、电极；5、密闭腔室；6、探测器衬底；7、信号分析电路；8、信号放大器；9、可编辑逻辑控制器；10、数模转换器；11、计算机；12、紫外光强控制器；13、电流调节器；14、液晶触摸屏。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。