[实用新型]半导体封装体

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2012年1月6日向韩国知识产权局于递交的韩国实用新型申请10-2012-0000158的优先权，其公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装体，且更具体地，涉及一种包括芯片焊盘的半导体封装体。

背景技术

由于近来电子装置具有高速、大容量和小型化特性，所以对能够有效地释放由半导体封装体产生的热量的结构和制造方法存在增长的需求。

发明内容

本实用新型提供了一种具有高制造效率和优异的热辐射效率的半导体封装体。

根据本实用新型的一方面，提供了一种半导体封装体，包括：芯片焊盘(diepaddle)，所述芯片焊盘包括导电材料，并且具有第一厚度；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述芯片焊盘的顶表面上，并且电连接到所述芯片焊盘；引线，所述引线连接到所述芯片焊盘，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及基底层，所述基底层设置在所述芯片焊盘的底表面上，并且具有热辐射表面。

所述基底层可以包括高导热的环氧树脂。

所述半导体封装体还可以包括密封构件，所述密封构件部分地围绕所述半导体芯片、所述芯片焊盘和所述引线，并且用于使所述基底层的下表面暴露。

所述基底层可以形成模制构件的一部分。

通过使用超声波或激光焊接可以在所述引线与所述芯片焊盘之间形成连接部分。

所述第一厚度可以是所述第二厚度的两倍或三倍。

所述第一厚度可以在大约1至大约2毫米之间的范围内。

附图说明

由以下结合附图的详细说明，将更清楚地理解本实用新型的示例性实施方式。

图1是根据本实用新型的实施方式的半导体封装体的透视图；

图2是图1的半导体封装体的横截面图；

图3A至3D是用于描述制造图1的半导体封装体的方法的横截面图；

图4是根据本实用新型的另一实施方式的半导体封装体的横截面图；以及

图5是根据本实用新型的又一实施方式的半导体封装体的横截面图。

具体实施方式

现在将参照其中示出本实用新型示例性实施方式的附图，更充分地描述本实用新型。然而，本实用新型可以包含在许多不同形式中，并且不应该解释为限制在本文中阐述的实施方式；更确切地，提供这些实施方式，使得本实用新型内容将是全面和完整的，并且充分将本实用新型的构思传达给本领域的普通技术人员。

同样，由于例如制造技术和/或偏差的原因，预计可能会发生与图示形状的偏离。因此，本实用新型的实施方式不应该解释为限制本文中示出区域的具体形状，而是包括例如由于制造导致的形状上的误差。在图中，相同的附图标记表示相同的元件。此外，图中示意性地示出了不同的元件和区域。因此，本实用新型不限于在图中示出的相对尺寸和间隔。在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任一和全部组合。当诸如“至少一个”等表述处于一系列元件之前时，修饰元件的整个列，而不修饰该列的单个元件。

图1是根据本实用新型实施方式的半导体封装体1000的透视图。图2是沿着图1的线II-II′获得的半导体封装体1000的横截面图。

虽然出于方便说明的原因，在图1中省略了用于保护内部构件的模制构件(molding member)180，但是在图2中示出了模制构件180。

参照图1和图2，半导体封装体1000包括芯片焊盘110、设置在芯片焊盘110之下的基底层(base layer)100和多个第一半导体芯片160a至第三半导体芯片160c。半导体封装体1000还包括第一引线120、第二引线130、多根导线170(第一导线至第四导线171、173、175和177)和模制构件180。

芯片焊盘110设置在基底层100的顶表面上，并且经由连接部分125附接到第一引线120。通过使用超声波或激光来焊接芯片焊盘110和第一引线120可以形成连接部分125。芯片焊盘110可以包括金属材料。芯片焊盘110可以由例如铜(Cu)形成，并且可以配置为包括两种或更多种金属的多层。芯片焊盘110具有第一厚度T1，而第一厚度T1可以在大约1至2毫米之间的范围内。第一厚度T1大于第一引线120的第二厚度T2，例如第一厚度T1为第二厚度T2的两倍或三倍。通过使用相对较厚的金属材料形成芯片焊盘110，可以改进芯片焊盘110的热辐射效率和放热效率。