[实用新型]半导体封装体有效
| 申请号： | 201320005019.6 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN203085515U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严柱阳;郑润载;全五燮;孙焌瑞 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装体，包括：
芯片焊盘，所述芯片焊盘包括导电材料，并且具有第一厚度；
半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述芯片焊盘的顶表面上，并且电连接到所述芯片焊盘；
引线，所述引线连接到所述芯片焊盘，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及
基底层，所述基底层设置在所述芯片焊盘的底表面上，并且具有热辐射表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述基底层包括高导热的环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的半导体封装体，还包括密封构件，所述密封构件部分地围绕所述半导体芯片、所述芯片焊盘和所述引线，并且用于使所述基底层的下表面暴露。
4.根据权利要求3所述的半导体封装体，其中，所述基底层形成模制构件的一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，通过使用超声波或激光焊接在所述引线与所述芯片焊盘之间形成连接部分。
6.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述第一厚度是所述第二厚度的两倍或三倍。
7.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述第一厚度在大约1毫米至大约2毫米之间。
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