[实用新型]半导体封装体

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2012年1月6日向韩国知识产权局递交的韩国实用新型申请10-2012-0000159的优先权，其公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装体，且更具体地，涉及一种包括在其上装载半导体芯片的衬底的半导体封装体。

背景技术

由于近来电子装置具有高速、大容量和小型化性能，所以半导体封装体的集成化提高。因此，对于在半导体封装体中有效地使相邻装置电绝缘的结构和制造方法进行了研究。还对能够有效地释放由半导体封装体产生的热量的结构和制造方法存在增长的需求。

实用新型内容

本实用新型提供了一种具有改进可靠性的半导体封装体。

根据本实用新型的一方面，提供了一种半导体封装体，包括：衬底，所述衬底具有绝缘性能，并且包括陶瓷材料；金属层，所述金属层设置在所述衬底上；芯片焊盘(die paddle)，所述芯片焊盘设置在所述金属层上；粘合层，所述粘合层用于连接所述金属层和所述芯片焊盘；以及半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述芯片焊盘的顶表面上以电连接到所述芯片焊盘。

所述粘合层可以由焊料材料形成。

所述金属层可以与所述衬底接触，并且从所述衬底的边缘向内设置预定长度。

所述半导体封装体还可以包括密封构件，所述密封构件围绕所述半导体芯片和所述芯片焊盘，并且用于使所述衬底的下表面暴露。

所述半导体封装体可以包括多个所述衬底，并且所述衬底通过在它们之间插入所述密封构件而彼此隔开设置。

所述半导体封装体还可以包括连接到所述芯片焊盘的引线。

附图说明

由以下结合附图的详细说明，将更清楚地理解本实用新型的示例性实施方式，其中：

图1是根据本实用新型的实施方式的半导体封装体的透视图；

图2是图1的半导体封装体的横截面图；

图3是图1的半导体封装体的仰视图；

图4A至4D是用于描述制造图1的半导体封装体的方法的横截面图；以及

图5是根据本实用新型的另一实施方式的半导体封装体的横截面图。

具体实施方式

现在将参照其中示出本实用新型示例性实施方式的附图，更充分地描述本实用新型。然而，本实用新型可以包含在许多不同形式中，并且不应该解释为限制在本文中阐述的实施方式；更确切地，提供这些实施方式，使得本实用新型内容将是全面和完整的，并且充分将本实用新型的构思传达给本领域的普通技术人员。

同样，由于例如制造技术和/或偏差的原因，预计可能会发生与图示形状的偏离。因此，本实用新型的实施方式不应该解释为限制本文中示出区域的具体形状，而是包括例如由于制造导致的形状上的误差。在图中，相同的附图标记表示相同的元件。此外，图中示意性地示出了不同的元件和区域。因此，本实用新型不限于在图中示出的相对尺寸和间隔。在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任一和全部组合。

图1是根据本实用新型实施方式的半导体封装体1000的透视图。图2是沿着图1的线II-II′获得的半导体封装体1000的横截面图。

虽然出于方便说明的原因，在图1中省略了用于保护内部构件的模制构件(molding member)180，但是在图2中示出了模制构件180。

参照图1和图2，半导体封装体1000包括衬底100a和100b，多个金属层110、多个芯片焊盘135和第一半导体芯片160a至第四半导体芯片160d。半导体封装体1000还包括多根第一引线130、第二引线140、多根导线170(第一导线至第五导线171、173、175、177和179)和模制构件180。

衬底100a和100b可以由陶瓷材料形成。衬底100a和100b可以包括例如Al₂O₃、AlN、SiO₂或BeO。衬底100a和100b的下表面可以用作辐射表面。或者，附加的散热器(未示出)还可以设置在衬底100a和100b的下表面上。