[发明专利]减少与射频功率耦合器相关的插入损耗影响的电路和方法有效
申请号: | 201310757341.9 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103916159B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | R·A·赖斯纳;J·C·巴尔德文 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H04B1/7097 | 分类号: | H04B1/7097;H04B1/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 胡琪 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 射频 功率 耦合器 相关 插入损耗 影响 电路 方法 | ||
1.一种射频(RF)电路,包括:
第一放大路径,包含用于第一频带的第一RF信号的输出匹配网络;
第二放大路径,包含用于第二频带的第二RF信号的输出匹配网络;
功率检测器,包含配置为检测沿着第一放大路径的功率的第一耦合器,以及配置为检测沿着第二放大路径的功率的第二耦合器,该第一耦合器和该第二耦合器实现为菊花链配置;以及
调节电路,包含在所述第二放大路径的第二输出匹配网络和第二耦合器之间实现的电感,该调节电路配置为将与第一放大路径相关联并且至少部分由第二耦合器引起的频率响应特征从第一频带移走。
2.如权利要求1的RF电路,其中所述第一频带和第二频带分别是相对于彼此的高频带和低频带。
3.如权利要求2的RF电路,其中所述第一放大路径和第二放大路径中的每一个包含功率放大器(PA),所述功率放大器的输出耦接到对应的输出匹配网络。
4.如权利要求2的RF电路,其中所述电感包含电感器。
5.如权利要求2的RF电路,其中所述调节电路进一步包含与所述电感串联连接的电容。
6.如权利要求5的RF电路,其中所述电容包含电容器。
7.如权利要求2的RF电路,其中所述第二输出匹配网络包含匹配电感以及连接到匹配电感的输出的分路电容。
8.如权利要求2的RF电路,其中所述频率响应特征包含功率频谱中的陷波,其导致沿着第一放大路径的插入损失。
9.如权利要求2的RF电路,其中所述第一频带包含E-UTRA频带B7、B38或B40。
10.如权利要求9的RF电路,其中所述第二频带包含E-UTRA频带B18或B8。
11.如权利要求2的RF电路,其中所述频率响应特征被移动到在第一放大路径的操作期间未使用的频率范围。
12.如权利要求11的RF电路,其中所述频率范围包含在E-UTRA频带B8和B4之间的频率范围。
13.如权利要求2的RF电路,其中所述调节电路配置为将所述频率响应特征移动到更低的频率。
14.如权利要求13的RF电路,其中所述频率响应特征移动到的更低的频率在与第一频带和第二频带相关联的频率之间。
15.一种射频(RF)模块,包括:
封装基板,配置为容纳多个部件;以及
实现在所述封装基板上的RF电路,该RF电路包含具有用于第一频带的第一RF信号的输出匹配网络的第一放大路径,和具有用于第二频带的第二RF信号的输出匹配网络的第二放大路径,该RF电路还包含功率检测器,该功率检测器具有配置为检测沿着第一放大路径的功率的第一耦合器,和配置为检测沿着第二放大路径的功率的第二耦合器,该第一耦合器和该第二耦合器实现为菊花链配置,该RF电路还包含具有在所述第二放大路径的第二输出匹配网络和第二耦合器之间实现的电感的调节电路,该调节电路配置为将与第一放大路径相关联并且至少部分由第二耦合器引起的频率响应特征从第一频带移走。
16.如权利要求15的RF模块,其中所述RF模块为功率放大器模块,从而所述第一放大路径包含第一功率放大器(PA)的输出并且所述第二放大路径包含第二PA的输出。
17.如权利要求16的RF模块,其中所述第一功率放大器和第二功率放大器两者都在半导体芯片上实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天工方案公司,未经天工方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310757341.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种AB3型储氢合金的氟化改性方法
- 下一篇:一种高温合金台阶轴径向锻造方法