[发明专利]芯片模块、绝缘材料和制造芯片模块的方法

权利要求书

1.一种芯片模块，包括：

半导体芯片；

载体，其中半导体芯片被布置在载体上或被嵌入到载体内；以及

至少部分地覆盖载体的面的绝缘层，其中绝缘层的介电常数ε_r和导热系数λ满足条件λ·ε_r＜4.0W·m^-1·K^-1。

2.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层的介电常数ε_r和导热系数λ满足λ·ε_r＜1.0W·m^-1·K^-1。

3.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层包括有孔材料。

4.根据权利要求3所述的芯片模块，其中所述有孔材料的孔隙率大于50％。

5.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层包括选自包括未掺杂二氧化硅、氟掺杂二氧化硅、碳掺杂二氧化硅、聚合物电介质、氮化物和金属氧化物的组中的至少一种材料。

6.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层的介电常数ε_r小于2.0。

7.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层的导热系数λ大于1.0W·m^-1·K^-1。

8.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述绝缘层具有小于10μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述载体为陶瓷的或金属的。

10.根据权利要求1所述的芯片模块，还包括用于将芯片模块附着至外部热沉的通孔，其中所述通孔延伸穿过所述载体和所述绝缘层。

11.根据权利要求1所述的芯片模块，还包括被布置在所述绝缘层的表面上的热沉，该表面与面向所述载体的表面相对。

12.根据权利要求1所述的芯片模块，其中所述半导体芯片包括功率集成电路、AC/DC或DC/DC转换器电路、功率MOS晶体管、功率肖特基二极管、垂直晶体管结构或绝缘栅双极晶体管中的至少一种。

13.一种芯片模块，包括：

半导体芯片；

载体，其中所述半导体芯片被布置在所述载体上或被嵌入到所述载体内；以及

至少部分到覆盖所述载体的面的绝缘层，其中所述绝缘层包括有孔材料。

14.一种绝缘材料，其具有满足条件λ·ε_r＜4.0W·m^-1·K^-1的介电常数ε_r和导热系数λ。

15.根据权利要求14所述的绝缘材料，其中所述介电常数ε_r和所述导热系数λ满足＜2.0W·m^-1·K^-1。

16.根据权利要求14所述的绝缘材料，其中该材料为有孔材料。

17.根据权利要求16所述的绝缘材料，其中该材料的孔隙率大于60％。

18.根据权利要求14所述的绝缘材料，其中该绝缘材料包括二氧化硅、氟掺杂二氧化硅、碳掺杂二氧化硅、聚合物电介质、氮化物或金属氧化物中的至少一种。

19.根据权利要求14所述的绝缘材料，其中所述介电常数ε_r低于1.5。

20.根据权利要求14所述的绝缘材料，其中所述导热系数λ大于1.0W·m^-1·K^-1。

21.一种用于承载电子部件的衬底，所述衬底包括绝缘材料，所述绝缘材料具有满足条件λ·ε_r＜4.0W·m^-1·K^-1的介电常数ε_r和导热系数λ。

22.根据权利要求21所述的衬底，还包括衬底基体材料，其中所述绝缘材料已被施加至所述衬底基体材料的表面。