[发明专利]用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法在审
| 申请号: | 201310757087.2 | 申请日: | 2013-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN103983911A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
| 发明(设计)人: | E·菲尔古特;H·格勒宁格 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/04 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;马永利 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 测试 半导体 芯片 模块 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法、一种用于测试半导体芯片的设备、以及一种导电固定器。
背景技术
在功率电子器件中,经常使用具有像例如IGBT晶体管的垂直晶体管的半导体芯片,或者通常使用其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上并且至少一个其他电接触焊盘被布置在与第一主表面相对的第二主表面上的晶体管。可以将这些半导体芯片中的若干个安装在陶瓷衬底或印刷电路板上并且电连接以形成功率模块或功率系统。以此方式,例如,多至20个功率半导体芯片可以被相互组合并且电连接以形成电路。
这些模块的一个示例是所谓的智能功率模块(IPM)。在将半导体芯片模块或各个半导体芯片输送至客户之前,重要的是知晓半导体芯片模块或各个半导体芯片是否情况正常以及它们是否满足预定的性能标准。因此,存在对于用于测试半导体芯片和/或半导体芯片模块,特别是用于测试包括半导体功率晶体管芯片或具有垂直晶体管结构的半导体芯片的那些芯片和/或半导体芯片模块的实际和有效方法的需求。
附图说明
包括附图来提供对实施例的进一步理解,并且将附图结合在该说明书中并构成其一部分。附图图示出了实施例并且与描述一起用于解释实施例的原理。将容易理解其他实施例以及实施例的许多预期优点,因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。附图的元素不一定相对于彼此是按比例的。相同的附图标记表示对应的相似部分。
图1示出了用于图示根据实施例的用于测试半导体芯片的方法的流程图;
图2示出了根据实施例的测试接触装置的透视图;
图3A和图3B共同构成图3,示出了根据实施例的导电衬底的顶视图(3A)和截面侧视图(3B);
图4示出了根据实施例的半导体芯片面板的部分区段的示意性截面图;
图5A至图5C共同构成图5,示出了在建立电接触之前的测试接触装置、半导体芯片面板和导电衬底的部分截面图(5A)、放大部分截面图(5B)以及顶视图(图5C);
图6A和图6B共同构成图6,示出了在建立电接触之后的测试接触装置、半导体芯片面板和导电衬底的部分截面图(6A)和放大部分截面图(6B);
图7示出了根据示例的包括多个半导体芯片的半导体芯片模块的顶视图;以及
图8示出了用于图示出根据示例的同时测试若干个模块或芯片的包括半导体芯片模块或各个半导体芯片的矩阵布置的半导体芯片面板的顶视图。
具体实施方式
现在参照附图描述多个方面和实施例,其中相同的附图标记通常到处被用于涉及相同的元素。在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而,对于本领域技术人员而言可以明显的是,可以利用较少程度的具体细节来实践实施例的一个或多个方面。在其他情形下,以示意性形式示出已知的结构和元件,以便促进描述实施例的一个或多个方面。要理解的是可以利用其他实施例,并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构或逻辑改变。进一步应当注意的是,附图不是或不一定是按比例的。
此外,尽管可以仅参照若干个实施方式中的一个来公开实施例的特定特征或方面,但当可能期望并且对于任何给定或特定应用有利时,此类特征或方面可以与其他实施方式的一个或多个其他特征或方面组合。此外,对于在详细描述或者权利要求中使用术语“包含”、“具有”、“带有”或其他变体的方面来说,这些术语意在以类似于术语“包括”的方式而是包括性的。可以使用术语“耦合的”和“连接的”以及派生词。应该理解的是,这些术语可以被用于指示两个元素彼此协作或者交互而不论它们是彼此直接物理或电接触,还是它们并未彼此直接接触。而且,术语“示例性”仅仅意味着作为示例,而不是最佳或最优的。因此,以下详细描述并不以限制意义而进行,而是本发明的范围由所附权利要求所限定。
用于测试半导体芯片的方法以及用于测试半导体芯片的设备的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或半导体芯片模块或包含在半导体芯片中的电路,在它们之中包括逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS(微机电系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等等。实施例也可以使用包括MOS晶体管结构或像例如IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构的垂直晶体管结构的半导体芯片,或者通常其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上以及至少一个其他电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主表面相对的半导体芯片的第二主表面上的晶体管或其他结构或器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310757087.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





