[发明专利]半导体封装及其形成方法有效
| 申请号: | 201310756733.3 | 申请日: | 2013-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN103839913A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | F·布鲁奇;R·奥特伦巴;K·席斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;徐红燕 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装,包含:
第一管芯板;
布置在第一管芯板周围的密封剂,该半导体封装具有第一侧壁和第二侧壁,第二侧壁垂直于第一侧壁,第一侧壁和第二侧壁限定第一角落区域;
布置在密封剂内的第一连接杆,该第一连接杆耦合第一管芯板并延伸离开第一管芯板;以及
布置在第一角落区域内的第一伪引线,第一伪引线不电耦合到半导体封装内的另一个导电元件,其中第一伪引线和第一连接杆之间的距离小于第一连接杆和半导体封装内的其他引线或其他连接杆之间的最短距离。
2.如权利要求1所述的封装,其中第一伪引线布置在耦合到第一管芯板的第一连接杆的一部分和耦合到第一管芯板的第二连接杆的一部分之间。
3.如权利要求1所述的封装,其中第一伪引线和第一连接杆之间的距离小于半导体封装内的任何引线之间的最短距离。
4.如权利要求1所述的封装,其中第一伪引线包含被填充有密封剂的顶部开口。
5.如权利要求1所述的封装,其中第一伪引线包含底部开口。
6.如权利要求1所述的封装,其中该封装是高电压功率器件。
7.如权利要求1所述的封装,其中第一伪引线不热耦合到半导体封装内的另一个导热元件。
8.如权利要求1所述的封装,进一步包含沿第一侧壁布置的第一多个引线,每个引线被电耦合到半导体封装内的另一个元件。
9.如权利要求8所述的封装,其中第一伪引线布置在第一多个引线的第一引线和第一多个引线的第二引线之间,其中第一引线和第二引线配置为耦合到同一电势节点。
10.如权利要求8所述的封装,其中第一伪引线包含与第一多个引线的每个引线相比不同的形状。
11.如权利要求8所述的封装,其中第一伪引线包含与第一多个引线的每个引线相比不同的尺寸。
12.如权利要求8所述的封装,其中第一伪引线包含与第一多个引线的每个引线相比不同的方位。
13.如权利要求8所述的封装,进一步包含:
布置在第一管芯板上的第一管芯;
布置在第一管芯板上的第二管芯;以及
布置在第一管芯板上的第三管芯,其中第一、第二和第三管芯耦合到第一多个引线。
14.如权利要求13所述的封装,进一步包含:
布置在密封剂内的第二管芯板;
布置在第二管芯板上的第四管芯;
布置在密封剂内的第三管芯板;
布置在第三管芯板上的第五管芯;
布置在密封剂内的第四管芯板;和
布置在第四管芯板上的第六管芯。
15.如权利要求14所述的封装,进一步包含:
沿与第一侧壁相对的第三侧壁布置的第二多个引线,第二多个引线的每个引线被电耦合到半导体封装内的另一个元件,其中第四、第五和第六管芯被耦合到第二多个引线。
16.如权利要求14所述的封装,进一步包含:
与第二侧壁相对的第三侧壁,第一侧壁和第三侧壁限定第二角落区域;以及
布置在第二角落区域内的第二伪引线,第二伪引线并不电耦合到半导体封装内的另一个导电元件。
17.一种半导体封装,包含:
封装体,其具有第一侧壁和第二侧壁,第二侧壁垂直于第一侧壁,第一侧壁和第二侧壁限定第一边缘;
沿第一侧壁布置的第一多个引线,每个引线电耦合到半导体封装内的另一个元件;以及
布置为最接近于封装体内的第一边缘的第一导体,第一导体不耦合到半导体封装内的另一个导电元件,其中第一多个引线中的每一个引线和第一多个引线中的另一个引线间隔开了最小爬电距离,其中第一导体和第一多个引线中的引线之间的距离小于爬电距离。
18.如权利要求17所述的封装,其中第一导体布置在第一多个引线的邻近引线之间。
19.如权利要求18所述的封装,其中第一多个引线的邻近引线被耦合到同一电势节点。
20.如权利要求17所述的封装,其中第一导体不被耦合到半导体封装内的另一个导热元件。
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