[发明专利]功率晶体管阵列的等效电路及仿真方法在审
| 申请号： | 201310750959.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104750898A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 阵列 等效电路 仿真 方法 | ||
1.一种功率晶体管阵列的等效电路，其特征在于：包含边角元包、边缘元包以及中心元包；
所述的边角元包包含第一标准BSIM3晶体管，所述第一标准BSIM3晶体管的源端接有第一源极电阻，所述第一标准BSIM3晶体管的漏端接有第一漏极电阻；
所述边缘元包包含第二标准BSIM3晶体管，所述第二标准BSIM3晶体管的源端接有第二源极电阻，所述第二标准BSIM3晶体管的漏端接有第二漏极电阻；
所述中心元包包含第三标准BSIM3晶体管，所述第三标准BSIM3晶体管的源端接有第三源极电阻，所述第三标准BSIM3晶体管的漏端接有第三漏极电阻；
所述的第一源极电阻、第二源极电阻以及第三源极电阻的另一端并联之后连接第四电阻，第四电阻的另一端为所述功率晶体管阵列的源极；
所述的第一漏极电阻、第二漏极电阻以及第三漏极电阻的另一端并联之后连接第五电阻，第五电阻的另一端为所述功率晶体管阵列的漏极；
所述第一标准BSIM3晶体管、第二标准BSIM3晶体管以及第三标准BSIM3晶体管的栅极并联，形成所述功率晶体管阵列的栅极。
2.如权利要求1所述的功率晶体管阵列的仿真方法，其特征在于：包含如下步骤：
第一步，构建功率晶体管阵列的等效电路；
第二步，利用构建的功率晶体管阵列的等效电路进行仿真。
3.如权利要求2所述的功率晶体管阵列的仿真方法，其特征在于：所述第一步中，功率晶体管阵列的等效电路包含边角元包、边缘元包以及中心元包；
所述的边角元包包含第一标准BSIM3晶体管，所述第一标准BSIM3晶体管的源端接有第一源极电阻，所述第一标准BSIM3晶体管的漏端接有第一漏极电阻；
所述边缘元包包含第二标准BSIM3晶体管，所述第二标准BSIM3晶体管的源端接有第二源极电阻，所述第二标准BSIM3晶体管的漏端接有第二漏极电阻；
所述中心元包包含第三标准BSIM3晶体管，所述第三标准BSIM3晶体管的源端接有第三源极电阻，所述第三标准BSIM3晶体管的漏端接有第三漏极电阻；
所述的第一源极电阻、第二源极电阻以及第三源极电阻的另一端并联之后连接第四电阻，第四电阻的另一端为所述功率晶体管阵列的源极；
所述的第一漏极电阻、第二漏极电阻以及第三漏极电阻的另一端并联之后连接第五
电阻，第五电阻的另一端为所述功率晶体管阵列的漏极；
所述第一标准BSIM3晶体管、第二标准BSIM3晶体管以及第三标准BSIM3晶体管的栅极并联，形成所述功率晶体管阵列的栅极。
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