[发明专利]一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor liquid crystal display，TFT-LCD）的制造技术，特别涉及一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器技术的迅猛发展，液晶显示器面板的尺寸也不断增大。此时，曝光工艺中会遇到单个大尺寸的玻璃基板的图形要比光掩膜板（Photo Mask）还要大的情况，在这种还必须形下，需要将光掩膜板图形分成多块在单个大尺寸玻璃基板上进行多次曝光，以多个光掩模板图形来拼接单个大尺寸玻璃基板上的图形。

如图1至图3示出了现有的一种通过多块光掩膜板实现在大尺寸玻璃基板上拼接曝光的示意图。其中，图中采用了两块光掩膜板，每一光掩膜板包括有效区（A区或B区）和非有效区（A’区或B’区），在非有效区中设置有对位精度测量检查标记（Total Pitch Mark），该对位精度测量检查标记在图中用小方块表示，其用于测量曝光后基板上图形与原设计图形的偏移及变形量。因为利用两块掩膜板在玻璃基板9上进行两次曝光，时会产生拼接曝光区90，而该拼接曝光区域属于有效区（Active area），且对位精度测量检查标记远大于有效区的像素，两次拼接曝光的两个曝光区在拼接曝光区一侧无法曝光出对位精度测量检查标记，这样在两个曝光区在拼接曝光区域一侧均无法量测到对位精度的信息，故该位置处的图形偏移及变形量无法得到监控，有可能出现TFT阵列基板与彩色滤光片基板无法对准，导致液晶显示器面板不良的出现（例如会产生漏光等问题）。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法，可以提高TFT阵列基板与彩色滤光片基板的对准的精度，以及提高液晶显示器面板的产品良率。

降低成本，并能改善阵列基板的性能。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种液晶显示器玻璃基板的曝光方法，包括：

提供至少两个光掩膜板，所述每一光掩膜板包括有效区域及非有效区域，所述有效区域一侧包括有对应于玻璃基板拼接曝光区域的重叠区域，在所述有效区域的周围设置有多个对位精度测量检查标记；

将每一光掩膜板分别在单独的基准基板的相应位置上进行曝光，对所述光掩膜板上的多个对位精度测量检查标记进行测量，根据测量结果确定是否需要对所述曝光参数进行补正，获得每一光掩膜板准确的曝光参数以及位置信息；

将每一光掩膜板的准确的曝光参数进行合并，并将所述至少两个光掩膜板利用后并后的曝光参数依次在同一基板的根据所述位置信息在对应位置上进行曝光，获得曝光后的图案，其中，在每次曝光时，至少采用一挡板遮挡住所述光掩膜板重叠区域一侧的对位精度测量检查标记。

其中，将每一光掩膜板分别在单独的基准基板的相应位置上进行曝光，对所述光掩膜板上的多个对位精度测量检查标记进行测量，根据测量结果确定是否需要对所述曝光参数进行补正，获得每一光掩膜板准确的曝光参数以及位置信息的步骤进一步包括：

将所述测量结果与设计的目标值进行比较，如果比较结果在误差允许的范围之内，则将所述光掩膜板当前的曝光参数作为其准确的曝光参数；

如果比较结果超出误差允许的范围，则对所述光掩膜板当前的曝光参数进行补正，重新进行曝光，直至所述比较结果在误差允许的范围之内，将所述光掩膜板此时的曝光参数作为其准确的曝光参数。

其中，所述曝光后的图案包括对应于至少两个光掩膜板的至少两个曝光区，在相邻的两个曝光区之间形成有拼接曝光区。

其中，所述玻璃基板为薄膜晶体管阵列基板或彩色滤光片基板。

其中，所述每一基准基板的尺寸与所述玻璃基板相同。

其中，将每一光掩膜板分别在单独的基准基板的对应位置上进行曝光的步骤进一步包括：

在曝光后，对所述基准基板进行蚀刻以及去除光刻胶层的工艺。

其中，将所述至少两个光掩膜板根据其对应的准确曝光参数，依次在同一基板的对应位置上进行曝光的步骤进一步包括：

在每次曝光前，将所述光掩膜板与玻璃基板进行对位。

实施本发明的实施例，具有如下的有益效果：