[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成若干栅极结构；

在所述栅极结构两侧的衬底中形成沟槽；

在所述栅极结构两侧的沟槽中填充用于形成源区或漏区的应力层，所述应力层凸出所述衬底；其中，在形成应力层的步骤中，采用外延生长的方式，

在所述沟槽中形成所述应力层；

对所述应力层进行脉冲刻蚀，使所述应力层与所述衬底相互齐平；所述脉冲刻蚀为等离子刻蚀。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：

在衬底中形成若干沟槽的步骤中，使所述沟槽呈∑型；

在形成应力层的步骤中，所述应力层的材料为锗硅。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：

在衬底中形成若干沟槽的步骤中，使所述沟槽呈U型；

在形成应力层的步骤中，所述应力层的材料为碳化硅。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在离子掺杂的步骤之后，进行脉冲刻蚀之前还包括以下步骤：

对所述应力层进行离子掺杂以形成源区以及漏区；

对形成的源区以及漏区进行退火。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成应力层的步骤之后，等离子刻蚀的步骤之前，还包括以下步骤：在所述衬底、栅极上形成掩模，并使所述应力层暴露出。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，等离子刻蚀的步骤包括：

使刻蚀气体中包括三氟化氯、溴化氢或者氯气。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，使所述等离子刻蚀腔体的气压在10～200毫托的范围内，刻蚀设备的功率输出范围在100～2000瓦的范围，偏置功率的范围在0～500瓦的范围，功率输出的脉冲频率在100～10000赫兹的范围内，占空比在90％～0％的范围内。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述等离子刻蚀的刻蚀气体中包括溴化氢、氧气以及保护气体。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，溴化氢的流量在50～1000标准毫升每分钟的范围内，氧气的流量在1～50标准毫升每分钟的范围内，保护气体包括氦气以及氩气，氦气的流量在10～500标准毫升每分钟的范围内，氩气的流量在0～500标准毫升每分钟的范围内。