[发明专利]光学邻近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图案，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的图案对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

在形成掩膜版图形的过程中，一般是根据最终形成的刻蚀图形，设计出光刻胶层上的曝光目标图形；然后再根据所述曝光目标图形，通过OPC模型计算得到最终需要在掩膜版上形成的图形。

但是由于存在光学邻近效应，光刻机台的曝光能力受到光刻分辨率的限制，对于尺寸小于光刻分辨率的曝光目标图形，在实际的曝光过程中，是没有办法在光刻胶层上形成与该曝光目标图形尺寸相同的曝光图形的。

所以需要在设计阶段，根据光刻机台的分辨率，对曝光目标图形进行合适的补偿，形成可曝光目标图形，然后根据所述可曝光目标图形形成合适的掩膜版图形。现有技术通常会通过对照机台的光刻分辨率限制表，通过减小曝光目标图形的宽度，进而增大相邻曝光目标图形之间的间距使不可曝光的目标图形转换成可曝光目标图形。

所述光刻分辨率限制表是对不同宽度，不同间距图形，进行曝光后，根据图形的曝光效果得到的表格，表格的横纵坐标分别为在光刻胶上形成的曝光图形的宽度以及相邻曝光图形之间的间距。所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域，所述可曝光区域是指在光刻胶上可以形成的曝光图形的尺寸范围；而不可曝光区域内的图形的尺寸范围则不能在光刻胶上形成。现有技术可以通过降低曝光目标图形的宽度，将不可曝光区域内的曝光目标图形移至可曝光区域。

但是，曝光目标图形尺寸的改变会导致后续以所述图形化光刻胶层为掩膜进行刻蚀形成的刻蚀图形尺寸与设计尺寸之间有一定的偏差，可能会最终形成的半导体器件的性能造成影响。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正的方法，避免对半导体器件的性能造成影响。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正的方法，包括：根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；提供当前层图形和相邻层图形，所述当前层图形中包括若干当前层子图形，所述相邻层图形包括若干相邻层子图形，并且将所述当前层图形和相邻层图形重叠，形成重叠图形；确定所述当前层图形中的坏边，所述坏边所在的当前层子图形作为第一待修正子图形，所述第一待修正子图形具有第一宽度，所述坏边与相邻当前层子图形之间具有第一间距，所述第一宽度和第一间距位于光刻分辨率限制表中的不可曝光区域，并且，在重叠图形中，所述坏边与部分相邻层子图形相交或间距小于预设值，所述部分相邻层子图形作为第一相邻层子图形；在所述坏边上加入切分点，所述切分点分别位于第一相邻层子图形的上方和下方，所述切分点之间的部分坏边作为第一线段，坏边的其余部分作为第二线段；移动所述第二线段，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间具有第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间具有第二间距，所述第二宽度和第二间距位于光刻分辨率限制表中的可曝光区域；根据所述第一线段的长度，对照光刻分辨率限制表，将第一线段移动相应的距离，使第一待修正子图形中第一线段的相对边与第一线段之间具有第三宽度，第一线段与相邻当前层子图形之间具有第三间距，所述第三宽度和第三间距位于第一线段的长度所对应的光刻分辨率限制表中的可曝光区域。

可选的，所述第二宽度小于第一宽度，第三宽度大于第二宽度。

可选的，所述切分点与第一相邻层子图形之间的垂直距离为0～100nm。

可选的，所述预设值为30nm～50nm。

可选的，所述第一线段与相邻层子图形之间的间距为0～30nm。