[发明专利]光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；

提供当前层图形和相邻层图形，所述当前层图形中包括若干当前层子图形，所述相邻层图形包括若干相邻层子图形，并且将所述当前层图形和相邻层图形重叠，形成重叠图形；

确定所述当前层图形中的坏边，所述坏边所在的当前层子图形作为第一待修正子图形，所述第一待修正子图形具有第一宽度，所述坏边与相邻当前层子图形之间具有第一间距，所述第一宽度和第一间距位于光刻分辨率限制表中的不可曝光区域，并且，在重叠图形中，所述坏边与部分相邻层子图形相交或间距小于预设值，所述部分相邻层子图形作为第一相邻层子图形；

在所述坏边上加入切分点，所述切分点分别位于第一相邻层子图形的上方和下方，所述切分点之间的部分坏边作为第一线段，坏边的其余部分作为第二线段；

移动所述第二线段，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间具有第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间具有第二间距，所述第二宽度和第二间距位于光刻分辨率限制表中的可曝光区域；

根据所述第一线段的长度，对照光刻分辨率限制表，将第一线段移动相应的距离，使第一待修正子图形中第一线段的相对边与第一线段之间具有第三宽度，第一线段与相邻当前层子图形之间具有第三间距，所述第三宽度和第三间距位于第一线段的长度所对应的光刻分辨率限制表中的可曝光区域。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二宽度小于第一宽度，第三宽度大于第二宽度。

3.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述切分点与第一相邻层子图形之间的垂直距离为0～100nm。

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设值为30nm～50nm。

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一线段与相邻层子图形之间的间距为0～30nm。

6.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述曝光子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区域。

7.根据权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据不同长度的曝光子图形，分别建立不同的光刻分辨率限制表。

8.根据权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的曝光子图形的宽度范围为50nm～6000nm，相邻曝光子图形之间的间距为40nm～300nm。

9.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，建立所述光刻分辨率限制表的曝光子图形的长度范围为50nm～6000nm。

10.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的数量为四个，包括：第一光刻分辨率限制表，建立所述第一光刻分辨率限制表所采用的第一曝光子图形具有第一长度，所述第一长度范围为1000nm～6000nm；第二光刻分辨率限制表，建立所述第二光刻分辨率限制表所采用的第二曝光子图形具有第二长度，所述第二长度范围为500nm～1000nm；第三光刻分辨率限制表，建立所述第三光刻分辨率限制表所采用的第三曝光子图形具有第三长度，所述第三长度范围为150nm～500nm；第四刻分辨率限制表，建立所述第四刻分辨率限制表所采用的第四曝光子图形具有第四长度，所述第四长度范围为50nm～150nm。

11.根据权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，移动所述第二线段的方法包括：对照第一光刻分辨率限制表，将第二线段移动最小距离，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间的第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间的第二间距，位于第一光刻分辨率限制表中的可曝光区域。