[发明专利]一种非易失性存储器的复位方法

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器的复位方法，包括：对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；对所述非易失性存储器进行复位操作；结束对所述非易失性存储器的复位操作。本发明能够在对非易失性存储器进行复位操作之前消除过擦除对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失性存储器的正确性和稳定性。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的复位方法。

背景技术

非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。随着非易失性存储器的相关技术的发展，非易失性存储器的应用越来越广泛。

非易失性存储器往往会伴有硬件复位或者软件复位等复位操作，这些复位操作相对于非易失性存储器的其它指令操作是异步的，即非易失性存储器在执行正常的编程或者擦除等操作的过程中，都有可能接收到用户执行的复位指令，并且执行复位操作需要结束正在执行的编程或者擦除等操作。如果复位指令发生在非易失性存储器的擦除操作过程中，擦除操作由于没有执行完毕就执行复位指令，可能会产生过擦除。过擦除会对擦除区域所在的物理存储块（BLOCK）提供漏电流，下次对过擦除区域所在的物理存储块的其它区域进行读或者编程操作时就会发生错误，导致整个非易失性存储器不可用。

现有技术中，非易失性存储器进行复位操作时，往往直接停止非易失性存储器正在执行的其它操作，立刻对其进行复位操作。如果停止正在执行的擦除操作就可能导致过擦除并产生漏电流，使与擦除区域所在的物理存储块的其它区域受到影响，从而影响非易失性存储器的正确性和稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的复位方法，解决了现有技术中对非易失性存储器进行复位操作时停止擦除操作导致过擦除并产生漏电流而影响非易失性存储器的正确性和稳定性的技术问题。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的复位方法，包括：

对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；

判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；

对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；

对所述非易失性存储器进行复位操作；

结束对所述非易失性存储器的复位操作。

进一步地，判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作过程中之后，还包括：

如果没有发生在所述擦除操作过程中，则结束对非易失性存储器的当前的操作；

对非易失性存储器进行复位操作。

进一步地，对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。