[发明专利]一种非易失性存储器的复位方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的复位方法，其特征在于，包括：

对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；

判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；

对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；

对所述非易失性存储器进行复位操作；

结束对所述非易失性存储器的复位操作；

对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

所述过擦除校验的基准电压为0伏；

所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验；

所述阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压的修复单元为过擦除单元，所述过擦除修复操作是将所述过擦除单元的阈值电压由小于0伏修复为大于0伏的操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的复位方法，其特征在于，判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作过程中之后，还包括：

如果没有发生在所述擦除操作过程中，则结束对非易失性存储器的当前的操作；

对非易失性存储器进行复位操作。