[发明专利]显示装置及其封装方法无效
申请号: | 201310740936.3 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103681771A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 洪瑞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;宋林清 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器领域,具体是一种显示装置及其封装方法。
背景技术
AM-OLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极体面板)的封装方法有很多种,其中玻璃粉浆料(frit)封装由于其封装工艺简单,能够对应顶发射的器件结构,已经应用于量产。
玻璃粉浆料工艺是首先通过点胶或者印刷将玻璃粉材料涂覆在玻璃基板上,然后烘烤去除溶剂,将带有OLED器件的基板和带有玻璃粉材料的基板对位贴合。最后用激光将玻璃粉材料高温融化,这样就实现了上下基板的封装。现有的封装方法存在两个基板之间不牢固的情况,由于玻璃粉与玻璃基板之间的融合性不佳,容易造成两个基板的分离。
发明内容
为了解决现有的显示装置采用玻璃粉封装时存在玻璃粉与基板之间的融合性不佳,容易造成两个基板分离的问题。
本发明采用的技术方案是:一种显示装置,包括第一基板、第二基板和设置在第一基板和第二基板之间的玻璃粉,所述第一基板或/和第二基板上形成有金属层,所述第一基板与第二基板之间通过融化玻璃粉结合在一起。
优选地,所述金属层具有多个孔洞,所述洞孔为圆孔、方孔或者不规则形孔。
优选地,所述孔洞的孔径为0.1-0.9mm。
优选地,所述金属层由溅射镀膜工艺形成。
优选地,所述第一基板和第二基板之间的玻璃粉是由激光进行融化。
优选地,所述第一基板为TFT基板,所述第二基板为封装基板。
优选地,所述第一基板为阵列基板,所述第二基板为彩膜基板。
本发明还提供了一种显示装置的封装方法,包括:
提供第一基板和第二基板;
在第一基板或/和第二基板上形成金属层;
将第一基板和第二基板贴合在一起,并在第一基板和第二基板之间设置玻璃粉;
对玻璃粉进行融化,使得第一基板和第二基板结合在一起。
优选地,所述在第一基板或/和第二基板上形成金属层,形成的金属层具有洞孔。
优选地,所述对玻璃粉进行融化,进一步包括:采用激光对玻璃粉进行融化。
本发明的有益效果是:本发明显示装置的第一基板或/和第二基板上形成有金属层,由于金属相比较于玻璃粉吸收激光的性能明显增强,能有效提高工艺温度,使得玻璃粉融化更加充分,减少虚焊的产生,提高了产品的良率。
附图说明
图1为本发明第一种实施例的结构示意图;
图2为本发明第二种实施例的结构示意图;
图3为本发明一种设置在基板上的金属层的结构示意图;
图4为本发明对显示装置进行封装的结构示意图;
图5为本发明一种实施例的显示装置封装的流程图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示,为本发明第一种实施例的结构示意图,该显示装置包括第一基板1、第二基板2和设置在第一基板和第二基板之间的玻璃粉3,所述第一基板上形成有金属层4,所述第一基板与第二基板之间通过融化玻璃粉结合在一起。本发明的第一基板上形成有金属层,由于金属相比较于玻璃粉更容易吸热,能有效提高工艺温度,加快玻璃粉的融化,减少虚焊的产生,提高了产品的良率。
本发明的显示装置可以是液晶显示器或者OLED显示器,还可以是其他任何具有第一基板和第二基板并利用玻璃粉进行封装的显示器。如果该显示装置是液晶显示器,则第一、二基板对应的是阵列基板和彩膜基板。如果该显示装置是OLED显示器,则第一、二基板对应的是TFT基板和封装基板。
如图2所示,为本发明第二种实施例的结构示意图,该显示装置包括第一基板1、第二基板2和设置在第一基板和第二基板之间的玻璃粉3,所述第一基板和第二基板上都形成有金属层4,所述第一基板与第二基板之间通过激光融化玻璃粉融合在一起。
本发明的第一基板和第二基板上都形成有金属层,由于金属相比较于玻璃粉吸收激光的性能明显增强,能有效提高工艺温度,加快玻璃粉的融化,减少虚焊的产生,提高了产品的良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的