[发明专利]离子注入装置及成膜装置

说明书

技术领域

本申请主张基于2013年3月18日申请的日本专利申请第2013-055279号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及成膜装置。

背景技术

专利文献1公开有将离子注入到基板（例如，半导体基板或玻璃基板）的离子注入装置。向基板的离子注入以改变基板的导电性，或改变基板的晶体结构等为目的实施。

作为离子注入装置，已知有具备形成离子束的离子源、及排列配置成一列的装载锁定腔室、真空腔室、及卸载锁定腔室的直列式离子注入装置。离子源配置于真空腔室。基板从入口侧（上游侧）的装载锁定腔室朝向出口侧（下游侧）的卸载锁定腔室，沿这些腔室的排列方向以直线状传送。基板在其传送过程中通过真空腔室内时，从离子源接收离子束的照射。另外，作为基板的传送方法，有直接传送基板的方法，或传送载置有基板的托盘的方法。

专利文献1：日本特开2013-004610号公报

上述离子注入装置通常具有将1个基板或1个托盘搬入装载锁定腔室而进行真空抽取的工序、在真空腔室内传送该基板或托盘且进行基于离子源的离子注入处理的工序、将基板或托盘传送到被真空抽取的卸载锁定腔室的工序、及在卸载锁定腔室中使气氛回到大气压后，将该基板或托盘从卸载锁定腔室搬出的工序。通常，相比传送1个基板或1个托盘并进行离子注入处理的时间，在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中的真空抽取的时间更长。由此，在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中的真空抽取的时间成为决定基板的每单位时间的处理数（通过量）的限速。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够提高通过量来实现生产率的提高的离子注入装置及成膜装置。

本发明的一侧面所涉及的离子注入装置具备依次排列配置的第1～第3真空腔室、在第1～第3真空腔室内传送包括基板在内的被传送物的传送部、设置于第2真空腔室且朝向基板照射离子束的离子源、设置于第1真空腔室的卸载部、及设置于第3真空腔室的堆积部，卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧，堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。

在本发明的一侧面所涉及的离子注入装置中，卸载部从堆积有多个被传送物的堆积体中卸载1个被传送物并通过传送部使该1个被传送物传送到第2真空腔室侧。因此，后续的堆积体在装载锁定腔室内进行真空抽取的期间，对多个基板进行离子注入处理。而且，在本发明的一侧面所涉及的离子注入装置中，堆积部将从第2真空腔室侧传送的1个被传送物堆积多个而形成新的堆积体。因此，在直至卸载锁定腔室完成真空抽取的期间形成有新的堆积体。根据以上，在装载锁定腔室及卸载锁定腔室中进行真空抽取的期间，对多个被传送物进行向真空腔室的搬入、离子注入处理及从真空腔室的搬出。因此，能够提高通过量来实现生产率的提高。

卸载部及堆积部可以分别具有：支承部，能够支承被传送物的底面；升降驱动部，使支承部进行升降；及旋转驱动部，通过升降驱动部进行支承部的升降时，在支承部的升降轨道和被传送物不重叠的第1位置与升降轨道和被传送物重叠的第2位置之间，使支承部移动。此时，通过旋转驱动部使支承部位于第2位置，并且通过升降驱动部使支承部进行升降，从而能够使被传送物进行升降。

旋转驱动部可以通过使支承部绕与升降轨道平行的轴旋转，从而使支承部在第1位置与第2位置之间移动。此时，与使支承部进行水平移动而在第1位置与第2位置之间移动时相比，支承部的移动范围变小。因此，能够将卸载部及堆积部小型化。

支承部可以具有呈以轴为中心的圆弧状的外形。此时，支承部旋转时，从该轴向观察时支承部停留在以该轴为中心的圆内。因此，无需确保用于支承部的移动的大空间，能够实现节省空间化。

传送部由多个辊构成，支承部可以通过升降驱动部以通过多个辊中相邻的辊之间的方式进行升降。此时，即使被传送物的宽度小于辊的宽度，也能够进行被传送物的卸载及堆积。

被传送物为载置有基板的托盘，卸载部可从堆积有多个托盘的堆积体中卸载1个托盘并通过传送部使该1个托盘传送到第2真空腔室侧，堆积部可将从第2真空腔室侧传送的1个托盘堆积多个而形成新的堆积体。