[发明专利]半导体检查方法以及半导体检查装置

说明书

（相关申请）

本申请享有以日本专利申请2013-105544号（申请日：2013年5月17日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及使探测器接触到芯片来测定各种电气特性的半导体检查方法以及半导体检查装置。

背景技术

在晶片上形成有多个芯片，以往，在测定了晶片上的各个芯片的电气特性之后，切割晶片而单片化为各个芯片。

如果在切割前的晶片的状态下进行了电气的测定，则具有能够使探测器正确地接触到晶片内的测定对象芯片上的规定部位而进行测定的优点，但在测定电气特性之后进行切割时，存在如下问题：由于切割时的损伤，产生新的缺陷，在晶片的状态下为优质的芯片在切割之后有可能变为有缺陷的芯片，从而无法检测这样的缺陷。

另外，如果为了降低芯片的接通电阻而减小晶片的厚度，则由于晶片的翘曲而容易引起搬送故障，而且在切割时还容易引起晶片的裂纹、缺口等障碍。

进而，如果在晶片的状态下进行电气的动态特性试验，则存在被测定对象芯片的破坏造成的影响还波及到其他芯片，流过短路电流等而破坏其他芯片的危险。

发明内容

本实施方式提供能够通过简易的手法正确地测定在晶片上形成的多个芯片的电气特性的半导体检查方法以及半导体检查装置。

在本实施方式的半导体检查方法中，具备：在形成有多个芯片的晶片的背面侧粘贴绝缘薄片的工序，所述绝缘薄片具有与所述多个芯片的位置对应地设置的多个孔；切割粘贴有所述绝缘薄片的所述晶片，在粘贴了所述绝缘薄片的状态下单片化为所述多个芯片的工序；以及使探测器接触到所述晶片上的多个芯片中的测定对象芯片的上表面的规定部位，并且使另一探测器通过所述绝缘薄片的对应的孔而接触到所述测定对象芯片的下表面，来测定所述测定对象芯片的电气特性的工序。

附图说明

图1是示出晶片1的切割和检查中使用的平面环2和切割薄片3的配置的图。

图2是示出将晶片1粘贴到切割薄片3的状态的图。

图3是示出隔着平面环2粘贴晶片1和切割薄片3并切割了的状态的立体图。

图4是从晶片1的水平面方向观察到的图。

图5是示出一个实施方式的半导体检查系统10的概略结构的框图。

图6是示出图5的半导体检查系统10的处理动作的一个例子的流程图。

图7是示出晶片粘贴装置11的内部结构的一个例子的框图。

图8是示出切割装置12的内部结构的一个例子的框图。

图9是示出测定装置13的内部结构的一个例子的框图。

图10是示出安装装置14的内部结构的一个例子的框图。

图11是示出使探测器5接触到晶片1上的多个芯片4的例子的立体图。

图12是从水平方向观察图11的例子而看到的图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。

在本实施方式中，对形成有多个芯片的晶片进行切割而单片化，之后进行电气特性的检查。图1是示出晶片1的切割和检查中使用的平面环（平板状环）2以及切割薄片（绝缘薄片）3的配置的图。如图所示，在平面环2的背面侧粘贴切割薄片3，将切割前的晶片1从平面环2的表面侧粘贴到切割薄片3。

平面环2是在中央部形成有开口部2a的平板，其内径大于晶片1的外径，且小于切割薄片3的外径。在平面环2的背面侧粘贴切割薄片3，根据需要切下比平面环2的外径还向外侧伸出的切割薄片3的部分。平面环2由例如不锈钢等金属材料形成。

切割薄片3的基材是例如树脂。切割薄片3在树脂基材的两面附着了粘着材料或者紫外线硬化材料。

在切割薄片3中，与晶片1上的各芯片4的位置对应地形成有孔3a。即，在切割薄片3中形成有晶片1上的芯片4的数量的多个孔3a。该孔3a具有能够使测试器的探测器接触到晶片1的背面的尺寸的直径。

图2是示出在平面环2上粘贴切割薄片3，并且隔着平面环2的开口部2a将晶片1粘贴到切割薄片3的状态的图。如图所示，在平面环2的背面侧粘贴切割薄片3，所以切割薄片3从平面环2的中央部的开口部2a露出。将晶片1从上方粘贴到该露出部分。

如后所述，在本实施方式中，在隔着平面环2粘贴了晶片1和切割薄片3的状态下，切割晶片1。但是，直至利用测试器的检查结束，不进行从晶片1按照芯片4单位的取出。