[发明专利]半导体检查方法以及半导体检查装置无效

专利信息
申请号: 201310740365.3 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN104167373A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 三木研一;森野启司 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 检查 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体检查方法,其特征在于,具备:

在形成有多个芯片的晶片的背面侧粘贴绝缘薄片的工序,所述绝缘薄片具有与所述多个芯片的位置对应地设置的多个孔;

切割粘贴有所述绝缘薄片的所述晶片,在粘贴了所述绝缘薄片的状态下单片化为所述多个芯片的工序;以及

使探测器接触到所述晶片上的多个芯片中的测定对象芯片的上表面的规定部位,并且使另一探测器通过所述绝缘薄片的对应的孔而接触到所述测定对象芯片的下表面,测定所述测定对象芯片的电气特性的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体检查方法,其特征在于,

在所述进行粘贴的工序中,以使所述多个孔在开口部内露出的方式将所述绝缘薄片粘贴到中央部具有所述开口部的平板状环的背面,并且以使所述多个孔的每一个重叠到对应的所述芯片的方式将所述晶片从所述平板状环的表面侧粘贴到所述绝缘薄片,其中,所述开口部的直径比所述晶片的外径大。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体检查方法,其特征在于,

在所述进行测定的工序中,针对两个以上的测定对象芯片的每一个,使分别对应的探测器接触到各芯片的上表面的规定部位,并且使分别对应的探测器接触到各芯片的下表面,来测定各芯片的电气特性。

4.根据权利要求3所述的半导体检查方法,其特征在于,

在所述进行测定的工序中,使分别对应的探测器接触到所述两个以上的测定对象芯片各自的上表面以及下表面,针对每个所述测定对象芯片测定不同的种类的电气特性。

5.一种半导体检查装置,其特征在于,具备:

平板状环,在中央部具有开口部,所述开口部的直径比晶片的外径大;

绝缘薄片,具有比所述开口部的直径大的直径,并且具有与在所述晶片中形成的多个芯片的位置对应地设置的多个孔;

支承部,以如下状态支承所述平板状环,即,以使所述多个孔在所述开口部内露出的方式将所述绝缘薄片粘贴到所述平板状环的背面,并且以使所述多个孔的每一个重叠到对应的所述芯片的方式将所述晶片从所述平板状环的表面侧粘贴到所述绝缘薄片;

切割刀具,在用所述支承部支承了的状态下,以不切断所述绝缘薄片的方式切割所述晶片,单片化为所述多个芯片;以及

测定部,使探测器接触到单片化了的所述多个芯片中的、测定对象芯片的上表面的规定部位,并且使另一探测器通过所述绝缘薄片的孔而接触到所述测定对象芯片的下表面,测定所述测定对象芯片的电气特性。

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