[发明专利]金属氧化物半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 201310739748.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904116B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 伊藤明 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一阱，嵌入在半导体衬底中；
第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；
栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及
凸起型漏极结构，包括高度掺杂的漏极HDD，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构还包括直接设置在所述HDD之上的漏极硅化物层，
其中，所述第二阱包括第一浅沟槽绝缘STI区域和设置在所述凸起型漏极结构一边上的第二STI区域，所述第一STI区域与所述栅极结构接触；
其中，所述HDD至少部分在所述第二阱上表面之上，以使所述漏极硅化物层在所述第二STI域之上且与所述第二STI域分离。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括凸起型源极结构，在所述第一阱之上并与所述第一阱接触，所述凸起型源极结构包括在所述第一阱的表面之上的源极连接点。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一阱包括至少部分被设置在所述凸起型源极结构和所述栅极结构下方的轻掺杂区域。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，所述第一阱被注入有具有第一导电型的材料；以及
其中，所述第二阱被注入有具有第二导电型的材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述凸起型源极结构包括相对于所述轻掺杂区域且在所述轻掺杂区域顶部上的第一高掺杂区域。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述凸起型漏极结构包括在所述第二阱顶部上的第二高掺杂区域，并且所述第二高掺杂区域比所述轻掺杂区域被更高地掺杂。
7.一种半导体器件，包括：
第一阱，具有第一阱上表面；
第二阱，具有第二阱上表面；
栅极结构，被设置在所述第一阱上表面和所述第二阱上表面上；
凸起型源极结构，被设置在所述第一阱之上并与所述第一阱接触，所述凸起型源极结构具有在至少一个位置比所述第一阱上表面更高的源极上表面；以及
凸起型漏极结构，包括高度掺杂的漏极HDD以及直接设置在所述HDD之上的漏极硅化物层；
其中，所述第二阱包括第一浅沟槽绝缘STI区域和设置在所述凸起型漏极结构一边上的第二STI区域，所述第一STI区域与所述栅极结构接触；
其中，所述HDD至少部分在所述第二阱上表面之上，以使所述漏极硅化物层在所述第二STI域之上且与所述第二STI域分离。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括凸起型漏极结构，被设置在所述第二阱之上并与所述第二阱接触，并且具有在至少一个位置比所述第二阱上表面更高的漏极上表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述栅极结构具有比所述源极上表面和所述漏极上表面更高的栅极上表面。
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