[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201310739637.8 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103744236A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 廖作敏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种增加液晶穿透率、降低能耗的像素结构。

背景技术

现今科技蓬勃发展,信息商品种类推陈出新,满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器,由于其体积庞大与耗电量大,而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言,有危害身体的问题。因此,现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)取代旧有的CRT显示器。

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶面板及背光模组(backlight module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。由于液晶面板本身不发光,需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像,因此,背光模组成为液晶显示器的关键组件之一。背光模组依照光源入射位置的不同分成侧入式背光模组与直下式背光模组两种。直下式背光模组是将发光光源例如CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp,阴极萤光灯管)或LED(Light Emitting Diode,发光二极管)设置在液晶面板后方,直接形成面光源提供给液晶面板。而侧入式背光模组是将背光源LED灯条(Lightbar)设于液晶面板侧后方的背板边缘,LED灯条发出的光线从导光板(LGP,Light Guide Plate)一侧的入光面进入导光板,经反射和扩散后从导光板出光面射出,在经由光学膜片组,以形成面光源提供给液晶显示面板。

为了改善液晶显示器闪烁(flick)问题,一般制作一个储存电容Cst来稳定像素电极上的电压。请参阅图1,现有的像素结构包括:一数据线100、一扫描线200、一公共电极300及一像素单元400,该像素单元400包括:一像素电极404、一薄膜晶体管402及储存电容406。现有技术中公共电极300一般设置在像素结构中的阵列(Array)基板上,且与像素电极404部分重叠来制作存储电容Cst(即Cst on Array Com结构)。但,这样设置的后果是在像素结构中间形成不透光区域导致像素开口面积降低,从而降低液晶显示面板的穿透率,增加液晶显示器能耗。现有的另一技术将像素电极与扫描(Gate)线部分重叠来制作储存电容(即Cst on Gate结构),但是这样会增加扫描线的负载,导致液晶显示面板显示不均匀。

发明内容

本发明的目的在于提供一种像素结构,将像素电极与彩膜基板的公共电极重叠形成存储电容,增加了液晶穿透率,降低应用该像素结构的液晶显示器的能耗,以及提升应用该像素结构的液晶显示器显示均匀性。

为实现上述目的,本发明提供一种像素结构,包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板包括一第一基板、配置于该第一基板上的一数据线及一扫描线、以及一像素单元,所述像素单元包括一薄膜晶体管及一像素电极,所述薄膜晶体管分别与数据线、扫描线及像素电极电性连接,所述彩膜基板包括一第二基板及配置于该第二基板上的公共电极,所述公共电极与像素电极具有一第一重叠部分,以形成该像素单元的第一存储电容。

所述薄膜晶体管具有一栅极、一源极及一漏极,所述栅极与扫描线电性连接,所述源极与数据线电性连接,所述漏极与像素电极电性连接,所述漏极与像素电极通过过孔连接。

所述第一重叠部分形成于该过孔处。

所述像素电极包括一第一扇出部,该第一扇出部设于与所述像素电极位于同一像素单元的薄膜晶体管对角处,所述第一重叠部分由所述第一扇出部与所述公共电极构成,以形成该像素单元的第一存储电容。

所述像素单元还具有一第二存储电容,所述像素电极包括一第二扇出部,该第二扇出部设于与所述像素电极位于同一像素单元的薄膜晶体管对角处,该第二扇出部与另一像素结构的扫描线具有一第二重叠部分,以形成所述第二存储电容。

所述阵列基板还包括:形成于第一基板上的第一金属层、形成于第一金属层与第一基板上的绝缘层、形成于绝缘层上的第二金属层、形成于第二金属层与绝缘层上的保护层、形成于保护层上的第一透明导电层、以及形成于第一透明导电层上的第一配向膜。

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