[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括阵列基板（10）、彩膜基板（20）以及位于所述阵列基板（10）与彩膜基板（20）之间的液晶层（30），所述阵列基板（10）包括一第一基板（11）、配置于该第一基板（11）上的一数据线（12）及一扫描线（13）、以及一像素单元（14），所述像素单元（14）包括一薄膜晶体管（15）及一像素电极（16），所述薄膜晶体管（15）分别与数据线（12）、扫描线（13）及像素电极（16）电性连接，所述彩膜基板（20）包括一第二基板（21）及配置于该第二基板（21）上的公共电极（22），所述公共电极（22）与像素电极（16）具有一第一重叠部分（23），以形成该像素单元（14）的第一存储电容。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管（15）具有一栅极、一源极及一漏极，所述栅极与扫描线（13）电性连接，所述源极与数据线（12）电性连接，所述漏极与像素电极（16）电性连接，所述漏极与像素电极（16）通过过孔（17）连接。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一重叠部分（23）形成于该过孔（17）处。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极（16’）包括一第一扇出部（18），该第一扇出部（18）设于与所述像素电极（16’）位于同一像素单元（14’）的薄膜晶体管（15）对角处，所述第一重叠部分（23’）由所述第一扇出部（18）与所述公共电极（22）构成，以形成该像素单元（14’）的第一存储电容。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元（14’’）还具有一第二存储电容，所述像素电极（16’’）包括一第二扇出部（19），该第二扇出部（19）设于与像素电极（16’’）位于同一像素单元（14’’）的所述薄膜晶体管（15）对角处，该第二扇出部（19）与另一像素结构的扫描线（13）具有一第二重叠部分（23’’），以形成所述第二存储电容。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述阵列基板（10）还包括：形成于第一基板（11）上的第一金属层（31）、形成于第一金属层（31）与第一基板（11）上的绝缘层（32）、形成于绝缘层（32）上的第二金属层（33）、形成于第二金属层（33）与绝缘层（32）上的保护层（34）、形成于保护层（34）上的第一透明导电层（35）、以及形成于第一透明导电层（35）上的第一配向膜（36）。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述彩膜基板（20）还包括：形成于第二基板（21）上的第一黑色矩阵（41）与色素层（42）、形成于第一黑色矩阵（41）与色素层（42）上的第二透明导电层（43）、形成于第二透明导电层（43）上的间隙子（44）、以及形成于间隙子（44）与第二透明导电层（43）上的第二配向膜（45）。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述色素层（42）包括：形成于第二基板（21）上的第二黑色矩阵（51）、形成于第二黑色矩阵（51）上的第一红色素层（52）、形成于第一红色素层（52）与第二黑色矩阵（51）上的第一绿色素层（53）、以及形成第一绿色素层（53）上的第一蓝色素层（54）。

9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述色素层（42’）包括：形成于第二基板（21）上的第二红色素层（52’）、形成第二红色素层（52’）与第二基板（21）上的第二蓝色素层（54’）、以及形成于第二蓝色素层（54’）上的第二绿色素层（53’）。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一基板（11）为玻璃基板或塑料基板，所述第二基板（21）为玻璃基板或塑料基板。