[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

现有的用于多维电场显示面板的阵列基板，在制作过程中需要依次经过6-7次构图工艺才能完成阵列基板的制作。而每一次构图工艺均需经过被刻蚀材料的形成，光刻胶的涂布、曝光以及显影，刻蚀，光刻胶的去除。如常见的制作方法包括以下步骤：

第一次构图工艺：形成包括公共电极、公共电极线、栅极以及栅线的图形；

第二次构图工艺：形成有源层；

第三次构图工艺：形成过孔；

第四次构图工艺：形成包括源极和漏极的图形；

第五次构图工艺：形成绝缘层；

第六次构图工艺：形成包括像素电极的图形。

由上述可知，现有的多维电场的显示面板的阵列基板制作工艺复杂繁琐、生产效率低、成本高且经济效益低。

发明内容

（一）发明目的

针对上述问题，本发明旨在提供一种制作工艺简单、生产效率高且经济效益好的阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括

通过一次构图工艺在透明基板上形成包括有源层、源极、漏极、数据线以及像素电极的图形；

形成包括绝缘层的图形；

通过一次构图工艺形成包括栅极及栅线的图形。

其中，所述在透明基板上形成包括有源层、源极、漏极、数据线以及像素电极的图形的步骤具体包括：

在透明基板上形成半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂布光刻胶，通过双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，完全保留有源层图案所在区域对应的光刻胶，部分保留所述源极、漏极、数据线以及像素电极图案所在区域对应的光刻胶，完全去除其他区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露出的半导体薄膜；

对光刻胶进行灰化处理，仅保留有源层图案所在区域对应的光刻胶；

通过等离子处理使暴露出的半导体薄膜对应形成包括源极、漏极、数据线以及像素电极的图形；

去除剩余的光刻胶。

其中，在形成包括栅极及栅线的图形的过程中还包括形成公共电极线及梳状公共电极的图形，具体包括：

在绝缘层之上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂布光刻胶，通过双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，完全保留栅极、栅线以及公共电极线图案所在区域对应光刻胶，部分保留梳状公共电极图案所在区域对应的光刻胶，去除其他区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露的金属薄膜及透明导电薄膜；

采用灰化工艺去除梳状公共电极图案所在区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露的金属薄膜；

去除剩余的光刻胶，形成包括有栅极、栅线、公共电极线以及梳状公共电极的图形。

其中，所述像素电极为梳状电极。

其中，所述半导体薄膜的材质选自铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟锡氧化物中的一种或多种。

本发明还提供了一种阵列基板，包括形成在透明基板上的栅线、数据线及栅线和数据线交叉环绕形成的像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管及与所述薄膜晶体管连接的像素电极，所述像素电极、数据线、所述薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极位于同一层。

其中，所述像素电极、数据线、所述薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极位于所述透明基板之上，所述阵列基板还包括位于所述像素电极、数据线、有源层、源极以及漏极之上的绝缘层；

所述绝缘层上方还设有栅极和栅线。

其中，所述绝缘层上方还设有公共电极线以及与所述公共电极线连接的梳状公共电极。

其中，所述梳状公共电极位于所述绝缘层之上；所述栅极、栅线及公共电极线位于公共电极上方。

其中，所述像素电极为梳状像素电极。

其中，所述像素电极、数据线和所述薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极的制作材质选自铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟锡氧化物中的一种或多种。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

（三）本发明的有益效果

本发明阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置，相对于传统的制作工艺，仅需两次构图工艺即完成阵列基板的制作，制作步骤少且简便，大大的降低了制作的繁琐度，从而极大的提升了生产效率，降低了生产成本，提高了经济效益。

附图说明

图1为本发明实施例所述的阵列基板制作方法的流程图；