[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括

通过一次构图工艺在透明基板上形成包括有源层、源极、漏极、数据线以及像素电极的图形；

形成包括绝缘层的图形；

通过一次构图工艺形成包括栅极及栅线的图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在透明基板上形成包括有源层、源极、漏极、数据线以及像素电极的图形的步骤具体包括：

在透明基板上形成半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂布光刻胶，通过双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，完全保留有源层图案所在区域对应的光刻胶，部分保留所述源极、漏极、数据线以及像素电极图案所在区域对应的光刻胶，完全去除其他区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露出的半导体薄膜；

对光刻胶进行灰化处理，仅保留有源层图案所在区域对应的光刻胶；

通过等离子处理使暴露出的半导体薄膜对应形成包括源极、漏极、数据线以及像素电极的图形；

去除剩余的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成包括栅极及栅线的图形的过程中还包括形成公共电极线及梳状公共电极的图形，具体包括：

在绝缘层之上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂布光刻胶，通过双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，完全保留栅极、栅线以及公共电极线图案所在区域对应的光刻胶，部分保留梳状公共电极图案所在区域对应的光刻胶，去除其他区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露的金属薄膜及透明导电薄膜；

采用灰化工艺去除梳状公共电极图案所在区域对应的光刻胶；

刻蚀暴露的金属薄膜；

去除剩余的光刻胶，形成包括有栅极、栅线、公共电极线以及梳状公共电极的图形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素电极为梳状电极。

5.根据权利要求2-4任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述半导体薄膜的材质选自铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟锡氧化物中的一种或多种。

6.一种阵列基板，包括形成在透明基板上的栅线、数据线及栅线和数据线交叉环绕限定的像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管及与所述薄膜晶体管连接的像素电极，其特征在于，所述像素电极、数据线、薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极位于同一层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极、数据线、薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极位于所述透明基板之上，所述阵列基板还包括位于所述像素电极、数据线、有源层、源极以及漏极之上的绝缘层；

所述绝缘层上方还设有栅极和栅线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层上方还设有公共电极线以及与所述公共电极线连接的梳状公共电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述梳状公共电极位于所述绝缘层之上；所述栅极、栅线及公共电极线位于公共电极上方。

10.根据权利要求6-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为梳状像素电极。

11.根据权利要求6-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极、数据线和薄膜晶体管的有源层、源极以及漏极的制作材质选自铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟锡氧化物中的一种或多种。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-11任一项所述的阵列基板。