[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及一种阵列基板以及该阵列基板的制造方法，以及一种包括所述阵列基板的显示装置。

背景技术

显示装置的显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括互相交错的多条栅线和多条数据线，所述栅线和数据线将阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内都设置有薄膜晶体管。传统的阵列基板中的薄膜晶体管通常为非晶硅薄晶体管，而非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般在0.5cmW·S左右。

近年来随着平板显示器尺寸的不断增大，驱动电路的频率不断提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足需求。例如，当液晶显示器尺寸超过80英寸时，驱动频率应当为120Hz，在这种情况下需要薄膜晶体管的迁移率在1cmW·S以上，因此，现在非晶硅薄膜晶体管的迁移率显然很难满足上述要求。

氧化物薄膜晶体管具有迁移率高、均一性好、透明、制作工艺简单等优点，可以更好地满足大尺寸显示器对薄膜晶体管迁移率的要求。

图1中所示的是一种典型包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板的剖视图。由于氢键对金属氧化物制成的有源层影响较大，因此，如图1中所示，所述阵列基板包括位于氧化物薄膜晶体管的有源层10上方的刻蚀阻挡层20，氧化物薄膜晶体管的源极30和漏极40通过穿过刻蚀阻挡层20的过孔与氧化物薄膜晶体管的有源层10连接，从而可以防止在刻蚀氧化物薄膜晶体管的源极和漏极时，刻蚀液渗透进入有源层。

为了节约制造成本，通常采用二氧化硅制成刻蚀阻挡层20。但是，由于二氧化硅的致密性较差，所以在薄膜晶体管的源漏金属层与刻蚀阻挡层之间存在汽包状间隙。在对源漏金属层进行刻蚀时，刻蚀液会沿着这种气泡状间隙渗入到数据线与刻蚀阻挡层的接触面，这样就会导致数据线上与薄膜晶体管的源极相接的部分被腐蚀，从而降低了阵列基板的总体质量。

因此，如何防止刻蚀液腐蚀数据线上与薄膜晶体管的源极相接触的部分成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和包括所述阵列基板的显示装置。所述阵列基板中数据线上与薄膜晶体管的源极相接触的部分不易被腐蚀。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括多条数据线、多条栅线和多个氧化物薄膜晶体管，多条所述数据线与多条所述栅线互相交错，将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有所述氧化物薄膜晶体管，其中，所述阵列基板还包括至少设置在所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下方的氧化物层，该氧化物层的上表面与所述数据线的下表面相贴合。

优选地，在每个所述数据线与所述栅线的交叠处均设置有所述氧化物层，所述氧化物层的宽度与所述数据线的宽度相同，所述氧化物层的长度与所述栅线的宽度相同。

优选地，所述氧化物层对应于整条所述数据线。

优选地，所述氧化物层和所述氧化物薄膜晶体管的有源层由同种材料制成，所述氧化物薄膜晶体管的有源层上方设置有刻蚀阻挡层。

优选地，所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极位于所述氧化物薄膜晶体管的有源层的上方，且所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层相连，所述数据线穿过所述刻蚀阻挡层与所述氧化物层相贴合。

优选地，所述薄膜晶体管的有源层包括源极覆盖区、漏极覆盖区和位于所述源极覆盖区和所述漏极覆盖区之间的刻蚀阻挡层覆盖区，所述氧化物层包括位于所述有源层一侧且与所述源极覆盖区连续的的源极氧化物层和位于所述有源层另一侧且与所述漏极覆盖区连续的的漏极氧化物层，所述薄膜晶体管的源极的下表面的一部分与所述源极覆盖区贴合，另一部分与所述源极氧化物层贴合，所述薄膜晶体管的漏极的下表面的一部分与所述漏极覆盖区贴合，另一部分与所述漏极氧化物层贴合，所述刻蚀阻挡层的下表面与所述刻蚀阻挡层覆盖区贴合。

作为本发明的另一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：

形成包括栅线的图形；

形成包括薄膜晶体管的有源层的图形的步骤；

形成包括所述氧化物层的图形；和

形成包括数据线和薄膜晶体管的源极、漏极的图形，且至少所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下表面与所述氧化物层相贴合。