[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，该阵列基板包括多条数据线、多条栅线和多个氧化物薄膜晶体管，多条所述数据线与多条所述栅线互相交错，将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有所述氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板还包括至少设置在所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下方的氧化物层，该氧化物层的上表面与所述数据线的下表面相贴合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在每个所述数据线与所述栅线的交叠处均设置有所述氧化物层，所述氧化物层的宽度与所述数据线的宽度相同，所述氧化物层的长度与所述栅线的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物层对应于整条所述数据线。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物层和所述氧化物薄膜晶体管的有源层由同种材料制成，所述氧化物薄膜晶体管的有源层上方设置有刻蚀阻挡层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极位于所述氧化物薄膜晶体管的有源层的上方，且所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层相连，所述数据线穿过所述刻蚀阻挡层与所述氧化物层相贴合。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括源极覆盖区、漏极覆盖区和位于所述源极覆盖区和所述漏极覆盖区之间的刻蚀阻挡层覆盖区，所述氧化物层包括位于所述有源层一侧且与所述源极覆盖区连续的的源极氧化物层和位于所述有源层另一侧且与所述漏极覆盖区连续的的漏极氧化物层，所述薄膜晶体管的源极的下表面的一部分与所述源极覆盖区贴合，另一部分与所述源极氧化物层贴合，所述薄膜晶体管的漏极的下表面的一部分与所述漏极覆盖区贴合，另一部分与所述漏极氧化物层贴合，所述刻蚀阻挡层的下表面与所述刻蚀阻挡层覆盖区贴合。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

形成包括栅线的图形；

形成包括薄膜晶体管的有源层的图形的步骤；

形成包括所述氧化物层的图形；和

形成包括数据线和薄膜晶体管的源极、漏极的图形，且至少所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下表面与所述氧化物层相贴合。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物层与所述氧化物薄膜晶体管的有源层位于同一层，且所述氧化物层与所述氧化物薄膜晶体管的有源层由同种材料制成，所述制造方法包括在同一步构图工艺中形成包括所述氧化物薄膜晶体管有源层和所述氧化物层的图形，并且所述制造方法包括在所述形成包括所述氧化层的步骤和所述形成包括数据线和薄膜晶体管的源极、漏极的图形的步骤之间依次进行的以下步骤：

形成包括刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层上方；

形成第一过孔、第二过孔和数据线孔，所述第一过孔和所述第二过孔均穿过所述刻蚀阻挡层到达所述氧化物薄膜晶体管的有源层，所述数据线孔穿过所述刻蚀阻挡层到达所述氧化物层；

在所述形成包括源极、漏极和数据线的图形的步骤中，所述源极通过第一过孔与所述有源层相连，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层相连，所述数据线位于所述数据线孔中，且所述数据线的下表面与所述氧化层贴合。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物层与所述氧化物薄膜晶体管的有源层位于同一层，且所述氧化物层与所述氧化物薄膜晶体管的有源层由同种材料制成，所述制造方法包括在同一步构图工艺中形成包括所述氧化物薄膜晶体管有源层和所述氧化物层的图形，所述薄膜晶体管的有源层包括源极覆盖区、漏极覆盖区和位于所述源极覆盖区和所述漏极覆盖区之间的刻蚀阻挡层覆盖区，所述氧化物层包括位于所述有源层一侧且与所述源极覆盖区连续的的源极氧化物层和位于所述有源层另一侧且与所述漏极覆盖区连续的的漏极氧化物层，

所述制造方法还包括在所述形成包括所述氧化层的步骤和所述形成包括数据线和薄膜晶体管的源极、漏极的图形的步骤之间依次进行的：

形成包括刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层上方，且所述刻蚀阻挡层覆盖所述刻蚀阻挡层覆盖区，所述源极的下表面的一部分与所述源极覆盖区贴合，另一部分与所述源极氧化物层贴合，所述漏极的下表面的一部分与所述漏极覆盖区贴合，另一部分与所述漏极氧化物层贴合。

10.一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。