[发明专利]电压调整器及其谐振栅驱动器有效
申请号: | 201310733241.2 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103715870A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 唐样洋;张臣雄 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 调整器 及其 谐振 驱动器 | ||
1.一种谐振栅驱动器,用于驱动第一功率晶体管和第二功率晶体管,其特征在于,包括第一控制通路、第二控制通路以及电感,其中:
所述第一控制通路的第一端与所述第二控制通路的第一端连接;
所述第一控制通路的第二端经由所述电感与所述第二控制通路的第二端连接;
所述第一控制通路的第三端与所述第一功率晶体管连接,所述第二控制通路的第三端与所述第二功率晶体管连接。
2.根据权利要求1所述的谐振栅驱动器,其特征在于,所述第一控制通路包括第一开关、第三开关以及第五开关,所述第二控制通路包括第二开关、第四开关以及第六开关,其中:
所述第一开关的第一触点与所述第二开关的第一触点连接,所述第一开关的第二触点与所述第五开关的第二触点以及所述第三开关的第一触点连接;
所述第二开关的第二触点与所述第六开关的第二触点以及所述第四开关的第一触点连接;
所述第三开关的第二触点与所述第一功率晶体管连接;
所述第四开关的第二触点与所述第二功率晶体管连接;
所述第五开关的第一触点以及所述第六开关的第一触点接地;
所述电感的一端与所述第一开关的第二触点连接,所述电感的另一端与所述第二开关的第二触点连接。
3.根据权利要求2所述的谐振栅驱动器,其特征在于,还包括电源,所述电源与所述第一开关的第一触点以及所述第二开关的第一触点连接。
4.根据权利要求2或3所述的谐振栅驱动器,其特征在于,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关以及所述第六开关均为半导体元件。
5.根据权利要求4所述的谐振栅驱动器,其特征在于,所述半导体元件为场效应晶体管,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关以及所述第六开关的第一触点均为所述场效应晶体管的源极,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关以及所述第六开关的第二触点均为所述场效应晶体管的漏极,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关、所述第五开关以及所述第六开关的控制端均为所述场效应晶体管的栅极。
6.根据权利要求5所述的谐振栅驱动器,其特征在于,所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关为PMOS晶体管,所述第五开关、所述第六开关为NMOS晶体管。
7.根据权利要求6所述的谐振栅驱动器,其特征在于,还包括第一本体二极管、第二本体二极管、第三本体二极管、第四本体二极管、第五本体二极管以及第六本体二极管,其中:
所述第一本体二极管的正极与所述第一开关的第二触点连接,所述第一本体二极管的负极与所述第一开关的第一触点连接;
所述第二本体二极管的正极与所述第二开关的第二触点连接,所述第二本体二极管的负极与所述第二开关的第一触点连接;
所述第三本体二极管的正极与所述第三开关的第二触点连接,所述第三本体二极管的负极与所述第三开关的第一触点连接;
所述第四本体二极管的正极与所述第四开关的第二触点连接,所述第四本体二极管的负极与所述第四开关的第一触点连接;
所述第五本体二极管的正极与所述第五开关的第一触点连接,所述第五本体二极管的负极与所述第五开关的第二触点连接;
所述第六本体二极管的正极与所述第六开关的第一触点连接,所述第六本体二极管的负极与所述第六开关的第二触点连接。
8.一种电压调整器,其特征在于,包括:
第一功率晶体管,所述第一功率晶体管的第一触点与电源的一端连接;
第二功率晶体管,所述第二功率晶体管的第一触点与所述电源的另一端连接,所述第二功率晶体管的第二触点与所述第一功率晶体管的第二触点连接;以及
如权利要求1至7中任一项所述的谐振栅驱动器,与所述第一功率晶体管的控制端以及所述第二功率晶体管的控制端连接,用于驱动所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管。
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