[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310729611.5 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752202A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成倒梯形的伪栅结构；
移除伪栅结构，以形成倒梯形的开口；
在所述开口的内壁上依次形成高k栅介质层、金属层以及离子缓冲层；
进行离子注入，以使得注入离子分布在金属层和/或高k栅介质层；
去除离子缓冲层；
填满所述开口，以形成替代栅。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子缓冲层的厚度为1-50nm，所述离子注入的能量为10-50keV。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，倒梯形的腰与衬底表面的倾角范围在30°～60°。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入为变角度离子注入。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，注入角度变化范围为-30°～+30°。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上形成N型器件与P型器件，其中，N型器件与P型器件形成有倒梯形伪栅结构；
移除N型器件与P型器件的伪栅结构，以形成倒梯形开口；
在所述开口的内壁上依次形成高k栅介质、金属层和离子缓冲层；
掩盖P型器件，对N型器件进行N型离子注入，以使得注入离子分布在金属层和/或高k栅介质层；
掩盖N型器件，对P型器件进行P型离子注入，以使得注入离子分布在金属层和/或高k栅介质层；
去除离子缓冲层；
填满所述开口，以形成替代栅。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述离子缓冲层的厚度为1-50nm，所述离子注入的能量为10-50keV。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，倒梯形的腰与衬底表面的倾角范围在30°～60°。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入为变角度离子注入。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，注入角度变化范围为-30°～+30°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
