[发明专利]掩膜板，对其曝光的方法以及包括该掩膜板的液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种掩膜板。本发明还涉及对这种掩膜板曝光的方法。本发明还涉及包括这种掩膜板的液晶面板。

背景技术

随着显示技术的发展，大尺寸，高品质，低成本的显示器件成为一种发展趋势。对于作为显示器件〔例如TFT-LCD显示器件)的主要组成部分之一的彩色滤光片，它的质量直接决定显示器件的显示效果。

目前TFT-LCD制造业内最为关键的步骤是为阵列基板和彩色滤光板进行曝光。光罩板图设计者依实际曝光机台所用的光罩大小，在规定的尺寸内进行产品图案绘制。

理想状况下，曝光后玻璃基板上各处相同设计的图案尺寸（CD）应该保持一致，并且均与光罩设计值相同。对于TFT-LCD面板的显示区域，为保持元件特性一致，通常其所有画素设计图案均完全相同。但是在实际曝光过程中，考虑到光罩在曝光机台上的装置方式，光罩会由于自身重力原因而出现一定程度的弯曲形变，并且光罩尺寸越大其形变量也越大。与光罩不弯曲的理想状况相比，光罩形变会造成从光罩中心到玻璃基板和从光罩四周到玻璃基板的曝光光程出现差异，从而导致与光罩不同部位对应的玻璃基板的不同部位受到的曝光强度也不同，并最终造成玻璃基板上的图案尺寸不一致。例如以水平方向为基准，当光罩中心向下凸出形变（即变形为凹镜状）时，对应光罩中心位置的曝光面积会偏小，对应于光罩四周处的曝光面积则偏大；而当光罩中心向上凸出形变（即变形为凸镜状）时，对应光罩中心位置的曝光面积会偏大，对应于光罩四周处的曝光面积则偏小。这些曝光面积差异意味着液晶面板的中央透光面积和四周透光面积不一致，从而导致液晶面板的亮度不均，液晶面板的显示品质。同理而言，对于阵列基板，图案尺寸的差异过大则直接反应在TFT驱动性能不均，并由此影响液晶面板的显示品质。

发明内容

针对现有技术中所存在的上述技术问题，本发明提出了一种掩膜板，其能够补偿由于曝光罩弯曲变形对掩膜板的曝光面积的影响。本发明还涉及对这种掩膜板进行曝光的方法。本发明还涉及包括这种掩膜板的液晶面板。

1）根据本发明的第一方面，提出了一种掩膜板，在其上设置有多个图案区，多个画素区按照其尺寸从掩膜板的中心到边缘成梯度变换的方式而设置。

根据本发明的掩膜板，在其上设置的图案区的尺寸是变化的，这能够补偿由于曝光罩的弯曲造成的光程差与掩膜板曝光面积的影响，从而提高包括根据本发明的掩膜板的液晶面板的显示品质。

2）在根据本发明的第1）项的一个实施例中，多个图案区尺寸从掩膜板的中心到边缘逐渐增大或逐渐减小。图案尺寸的从掩膜板的中心到边缘逐渐增大或逐渐减小对应于曝光罩的不同的弯曲情况，从而有效地补偿曝光罩与掩膜板之间的光程变化。在一个优选的实施例中，相邻的尺寸不同的图案区尺寸之间的差值在0.3-0.8μm之间。这样，图案区的尺寸变化过渡非常细腻，有助于提高液晶面板的显示品质。

3）在根据本发明的第1）或第2）项的一个实施例中，掩膜板为彩色滤光板，多个图案区均设置在彩色滤光板的显示单元内。在另一个实施例中，掩膜板为阵列基板，多个图案区为电极。

4）根据本发明的第二方面，提出了一种液晶面板，其包括根据本发明的第1）项到第3）项中任一个所述的掩膜板。

5）根据本发明的第三方面，提出了一种对本发明的第1）项到第3）项中任一个所述的掩膜板曝光的方法，包括以下步骤，

步骤一：水平地设置曝光罩，并检测其形变度；

步骤二：在掩膜板上设置多个图案区，并且多个图案区根据曝光罩的形变度以从掩膜板的中心到边缘成梯度变换的方式而设置；

步骤三：完成掩膜板曝光。

根据本发明的方法，在设置了曝光罩之后即检测其形变度，能够在掩膜板上有的放矢地设置图案区的尺寸，以减少在生产初期的废品率。此外，由于图案区的尺寸是根据曝光罩的形变程度而设置的，因此能够最大程度地补偿曝光罩的变形对掩膜板曝光的影响。

6）在根据本发明的第5）项的一个实施例中，在步骤二中，相邻的图案区尺寸之间的差值与光从曝光罩到掩膜板的光程差相匹配。在一个具体的实施例中，在步骤二中，当曝光罩的中心距离掩膜板较远而边缘距离掩膜板较近时，多个图案区尺寸从掩膜板的中心到边缘逐渐减小。在另一个实施例中，在步骤二中，当曝光罩的中心距离掩膜板较近而边缘距离掩膜板较远时，多个图案区尺寸从掩膜板的中心到边缘逐渐增大。这种设置图案区使得掩膜板上的图案区的尺寸更趋向于一致，从而提升液晶面板的显示品质。