[发明专利]一系列有机电致发光材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.式I所示化合物，

所述式I中，R选自C1-C20的芳香基、C1-C50的芳香乙烯基、C1-C50的稠环芳香基、C1-C50的稠环芳香乙烯基、C1-C50的二芳基胺基、C1-C50的含氮、硫和氧原子中至少一种的稠环基和C1-C50的含氮、硫、氧、磷和硅原子中至少一种的芳香基中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述C1-C20的芳香基为苯基、联苯基、萘基、吡啶基或蒽基；

所述C1-C50的芳香乙烯基为

所述C1-C50的稠环芳香基为芘基、蒽基、二苯并[b,d]呋喃基、芴基、螺芴基或二苯并[b,d]噻吩基；

所述C1-C50的稠环芳香乙烯基为

所述C1-C50的二芳基胺基为

所述C1-C50的含氮、硫和氧原子中至少一种的稠环基为

所述C1-C50的含氮、硫、氧、磷和硅原子中至少一种的芳香基为

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于：所述式I所示化合物为如下化合物中的任意一种：

所述化合物027中，n为4-8的整数；

所述化合物054、055、056、057中，n均为1-8的整数；

所述化合物077中，n为0-8的整数；

所述化合物078中，X为O或S；

所述化合物079中，R₈为Ph、4-OMe-Ph、OMe或Me。

4.含有权利要求1-3任一所述式I所示化合物的发光材料；或者，

权利要求1-3任一所述式I所示化合物在制备发光材料中的应用；

所述发光材料具体为有机电致荧光发光材料；

所述发光材料的发光波长具体为420-480nm；

所述发光材料的紫外吸收波长为245-325nm。

5.权利要求1-3任一所述式I所示化合物作为发光层在制备有机电致发光器件中的应用；

含有权利要求1-3任一所述式I所示化合物作为发光层的有机电致发光器件；

其中，所述有机电致发光器件具体为有机电致荧光发光器件，更具体为有机电致蓝色荧光发光材料；

所述发光材料的发光波长具体为420-480nm；

所述发光材料的紫外吸收波长为245-325nm。

6.根据权利要求5所述的应用或器件，其特征在于：所述有机电致发光器件由下至上依次由透明基片、阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层组成；

其中，构成所述透明基片的材料为玻璃或柔性基片；

构成所述阳极层的材料为无机材料或有机导电聚合物；其中，所述无机材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜；所述有机导电聚合物选自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸钠和聚苯胺中的至少一种；

构成所述空穴注入层的材料为TDATA；

所述TDATA的结构式如下：

构成所述空穴传输层的材料为NPB；

所述NPB的结构式如下：

构成所述有机发光层的材料为权利要求1-2任一所述式I所示化合物；

构成所述电子传输层的材料为Alq3、Gaq3、BPhen或TPBi；

其中，Alq3、Gaq3、BPhen和TPBi的结构式依次如下：

构成所述阴极层的材料选自下述元素中的任意一种或任意两种组成的合金或下述元素的氟化物：锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金和银。

7.根据权利要求6所述的应用或器件，其特征在于：

所述空穴注入层的厚度为30-50nm，具体为40nm；

所述空穴传输层的厚度为5-15nm，具体为10nm；

所述有机发光层的厚度为10-100nm，具体为40nm；

所述电子传输层的厚度为10-30nm，具体为50nm；

所述阴极层的厚度为90-110nm，具体为100nm。