[发明专利]具有低轮廓触点的集成电路堆叠有效
| 申请号: | 201310724177.1 | 申请日: | 2013-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN104143557A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
| 发明(设计)人: | 多米尼克·马塞提 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 轮廓 触点 集成电路 堆叠 | ||
技术领域
本发明一般来说涉及半导体处理。更具体来说,本发明的实例涉及堆叠式集成电路系统的半导体处理。
背景技术
随着集成电路技术不断进步,一直不断努力来增加性能及密度、改进形状因子并减少成本。堆叠式三维集成电路的实施方案一直是设计者有时用来实现这些益处的一种方法。以极精确的对准进行晶片接合的进步使得可能在晶片级上制作堆叠式芯片。可能的应用可包含逻辑芯片接合到存储器、图像传感器以及其它。这提供了较小形状因子、较高性能及较低成本的优点。
在实施不断变得更小且更快的堆叠式三维互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器时的关键挑战涉及将总体封装高度保持尽可能短,因为存在倾向更小轮廓装置的持续趋势。举例来说,随着新型号的发布,智能电话及平板计算机不断变得更薄且更轻,因此,这需要图像传感器模块更短以便装配在较薄的智能电话及平板计算机中。另外,已导致不断努力来增加性能及密度并改进形状因子的集成电路的堆叠已引入了处理因堆叠式集成电路裸片而产生的热的耗散方面的挑战。
发明内容
本发明的一个实施例提供一种集成电路系统,其包括:第一装置晶片,其具有横向侧,所述第一装置晶片进一步包含沿着所述第一装置晶片的所述横向侧安置的多个T形触点;第二装置晶片,其具有横向侧,所述第二装置晶片进一步包含沿着所述第二装置晶片的所述横向侧安置的多个T形触点,其中所述第一及第二装置晶片堆叠在一起,其中所述第一装置晶片的所述横向侧与所述第二装置晶片的所述横向侧对准,使得所述第一装置晶片的所述多个T形触点中的每一者耦合到所述第二装置晶片的所述多个T形触点中的对应一者;多个焊料球,其附接到所述第一及第二晶片的所述横向侧且耦合到所述第一及第二装置晶片的所述多个T形触点;及电路板,其具有界定于其表面上的凹部,所述电路板包含沿着横向侧安置于所述凹部内的多个触点,其中所述第一及第二装置晶片在所述凹部内附接到所述电路板,使得所述多个焊料球中的每一者提供所述第一及第二装置晶片的所述多个T形触点中的每一者与沿着横向侧安置于所述电路板的所述凹部内的所述多个触点之间的横向耦合。
本发明的另一实施例提供一种成像系统,其包括:图像传感器晶片,其具有横向侧,所述图像传感器晶片进一步包含沿着所述图像传感器晶片的所述横向侧安置的多个T形触点,其中所述图像传感器晶片包含具有多个图像传感器像素的像素阵列;图像传感器处理器晶片,其具有横向侧,所述图像传感器处理器晶片进一步包含沿着所述图像传感器处理器晶片的所述横向侧安置的多个T形触点,其中所述图像传感器及所述图像传感器处理器晶片堆叠在一起,其中所述图像传感器晶片的所述横向侧与所述图像传感器处理器晶片的所述横向侧对准,使得所述图像传感器晶片的所述多个T形触点中的每一者耦合到所述图像传感器处理器晶片的所述多个T形触点中的对应一者,其中所述图像传感器处理器晶片包含耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作的控制电路及耦合到所述像素阵列以从所述多个图像传感器像素读出图像数据的读出电路;多个焊料球,其附接到所述图像处理器及图像传感器处理器晶片的所述横向侧且耦合到所述图像传感器及图像传感器处理器晶片的所述多个T形触点;及电路板,其具有界定于其表面上的凹部,所述电路板包含沿着横向侧安置于所述凹部内的多个触点,其中所述图像传感器及图像传感器处理器晶片在所述凹部内附接到所述电路板,使得所述多个焊料球中的每一者提供所述图像传感器及图像传感器处理器晶片的所述多个T形触点中的每一者与沿着所述横向侧安置于所述电路板的所述凹部内的所述多个触点之间的横向耦合。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽实施例,其中除非另有规定,否则在所有各个视图中相似参考编号指代相似部件。
图1A是图解说明根据本发明的教示在分离之前堆叠并一起接合于实例性成像系统中的第一及第二装置晶片的实例的横截面图。
图1B是图解说明根据本发明的教示在分离之前堆叠并一起接合于实例性成像系统中的第一及第二装置晶片的实例的仰视图。
图2A是图解说明根据本发明的教示在分离之前堆叠并一起接合于实例性成像系统中的第一及第二装置晶片的另一实例的横截面图。
图2B是图解说明根据本发明的教示在分离之前堆叠并一起接合于实例性成像系统中的第一及第二装置晶片的另一实例的仰视图。
图3A是图解说明根据本发明的教示包含将附接在电路板中的实例性凹部内的集成电路系统的实例性成像系统的实例的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





