[发明专利]具有低轮廓触点的集成电路堆叠

权利要求书

1.一种集成电路系统，其包括：

第一装置晶片，其具有横向侧，所述第一装置晶片进一步包含沿着所述第一装置晶片的所述横向侧安置的多个T形触点；

第二装置晶片，其具有横向侧，所述第二装置晶片进一步包含沿着所述第二装置晶片的所述横向侧安置的多个T形触点，其中所述第一及第二装置晶片堆叠在一起，其中所述第一装置晶片的所述横向侧与所述第二装置晶片的所述横向侧对准，使得所述第一装置晶片的所述多个T形触点中的每一者耦合到所述第二装置晶片的所述多个T形触点中的对应一者；

多个焊料球，其附接到所述第一及第二晶片的所述横向侧且耦合到所述第一及第二装置晶片的所述多个T形触点；及

电路板，其具有界定于其表面上的凹部，所述电路板包含沿着横向侧安置于所述凹部内的多个触点，其中所述第一及第二装置晶片在所述凹部内附接到所述电路板，使得所述多个焊料球中的每一者提供所述第一及第二装置晶片的所述多个T形触点中的每一者与沿着横向侧安置于所述电路板的所述凹部内的所述多个触点之间的横向耦合。

2.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片各自包含前侧及背侧使得所述第一装置晶片的所述前侧及背侧中的一者在所述第一与第二装置晶片之间的接合界面处附接到所述第二装置晶片的所述前侧及背侧中的一者。

3.根据权利要求2所述的集成电路系统，其中所述第一装置晶片的所述前侧附接到所述第二装置晶片的所述前侧。

4.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片中的所述每一者进一步包含金属互连件，其中所述第一装置晶片的所述金属互连件通过所述第一与第二装置晶片之间的接合界面耦合到所述第二装置晶片的所述金属互连件。

5.根据权利要求4所述的集成电路系统，其进一步包括一个或一个以上穿硅通孔TSV，所述第一装置晶片的所述金属互连件经由所述一个或一个以上穿硅通孔通过所述第一与第二装置晶片之间的所述接合界面耦合到所述第二装置晶片的所述金属互连件。

6.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片中的一者包括图像传感器芯片且所述第一及第二装置晶片中的另一者包括存储器芯片。

7.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片中的一者包括图像传感器芯片且所述第一及第二装置晶片中的另一者包括处理器芯片。

8.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片中的一者包括图像传感器芯片且所述第一及第二装置晶片中的另一者包括专用集成电路ASIC芯片。

9.根据权利要求1所述的集成电路系统，其进一步包括与所述电路板相对地附接到所述第一及第二装置晶片的透镜堆叠。

10.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述第一及第二装置晶片中的一者包括存储器芯片且所述第一及第二装置晶片中的另一者包括处理器芯片。

11.根据权利要求1所述的集成电路系统，其进一步包括热耦合于所述第一及第二装置晶片与所述电路板的所述凹部的所述第一及第二装置晶片所附接到的内侧表面之间的热传导界面材料。

12.根据权利要求11所述的集成电路系统，其中所述电路板进一步包含热耦合到所述电路板的所述凹部的所述第一及第二装置晶片通过所述热传导界面材料所附接到的所述内侧表面的散热器。

13.根据权利要求1所述的集成电路系统，其中所述电路板包括铜包层电路板。