[发明专利]一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法有效
| 申请号： | 201310721725.5 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103745930A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 冯幼明;殷丽;王成杰 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 褚鹏蛟 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 节省 电压 vdmosfet 芯片 面积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；
在有源区域（1a）上通过沉积形成栅氧化层区域（2c）和多晶硅区域（2），其中多晶硅区域（2）位于栅氧化层区域（2c）上方；多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅终端结构区域（2b）和未腐蚀的区域（1b）之间通过扩散形成终端扩散区6；
在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区3；
在多晶硅区域2上形成保护膜，通过腐蚀所述保护膜后形成接触孔4；
在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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