[发明专利]译码方法、存储器存储装置、存储器控制电路单元

权利要求书

1.一种译码方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其中该可复写式非易失性存储器模块包括多个第一存储单元，其特征在于，该译码方法包括：

根据一第一读取电压读取该些第一存储单元以取得多个第一校验比特；

由一第一更正电路根据该些第一校验比特执行一第一硬比特模式译码程序，并判断该第一硬比特模式译码程序是否生成一第一有效码字；

若该第一硬比特模式译码程序生成该第一有效码字，输出该第一有效码字；

若该第一硬比特模式译码程序没有生成该第一有效码字，由一第二更正电路根据该些第一校验比特执行一第二硬比特模式译码程序，并判断该第二硬比特模式译码程序是否生成一第二有效码字，其中该第一更正电路的一精准度小于该第二更正电路的一精准度；以及

若该第二硬比特模式译码程序生成该第二有效码字，输出该第二有效码字。

2.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，还包括：

若该第二硬比特模式译码程序没有生成该第二有效码字，根据多个第二读取电压读取该些第一存储单元以取得多个第二校验比特，并由该第二更正电路根据该些第二校验比特执行一软比特模式译码程序，其中该些第二读取电压的个数大于该第一读取电压的个数；

判断该软比特模式译码程序是否生成一第三有效码字；以及

若该软比特模式译码程序生成该第三有效码字，输出该第三有效码字。

3.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，还包括：

若该软比特模式译码程序没有生成该第三有效码字，判断一读取次数是否大于一读取临界值；

若该读取次数大于该读取临界值，判断译码失败；以及

若该读取次数不大于该读取临界值，重新设定该第一读取电压，根据重新设定的该第一读取电压来读取该些第一存储单元以重新取得该些第一校验比特，以及通过该第一更正电路根据重新取得的该些第一校验比特执行该第一硬比特模式译码程序。

4.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，还包括：

根据该些第一校验比特生成多个数据比特；以及

对该些数据比特执行一奇偶校验程序以生成多个校验子，

其中根据该些第一校验比特执行该第一硬比特模式译码程序的步骤包括：

在一低密度奇偶校验码的一叠代译码中，根据该些校验子取得每一该些数据比特的一可靠度信息，并且根据该些可靠度信息决定该些数据比特中一错误比特的一索引，

其中判断该第一硬比特模式译码程序是否生成有效的码字的步骤包括：

判断该错误比特的该索引与该些校验子是否符合一奇偶校验条件；以及

若该错误比特的该索引与该些校验子符合该奇偶校验条件，判断该第一硬比特模式译码程序生成有效的码字，

其中输出该有效的码字的步骤包括：

根据该错误比特的该索引来更正该些数据比特，并输出更正后的该些数据比特。

5.根据权利要求4所述的译码方法，其特征在于，还包括：

根据该些校验子计算一校验总和；

判断该校验总和是否小于一第一校验临界值；

若该校验总和小于该第一校验临界值，由该第一更正电路执行该第一硬比特模式译码程序；

若该校验总和大于等于该第一校验临界值，判断该校验总和是否小于一第二校验临界值；

若该校验总和小于该第二校验临界值，由该第二更正电路执行该第二硬比特模式译码程序；

若该校验总和大于等于该第二校验临界值，判断该校验总和是否小于一第三校验临界值；以及

若该校验总和小于该第三校验临界值，由该第二更正电路执行该软比特模式译码程序。

6.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，在根据该第一读取电压读取该些第一存储单元的步骤之前，该译码方法还包括：

从该可复写式非易失性存储器模块中读取一奇偶校验矩阵信息；

根据该奇偶校验矩阵信息来设定该第一更正电路的一第一参数，其中该第一硬比特模式译码程序是根据该第一参数所执行；以及

根据该奇偶校验矩阵信息来设定该第二更正电路的一第二参数，其中第二硬比特模式译码程序是根据该第二参数所执行。