[发明专利]一种像素电路和驱动方法及其应用有效
| 申请号: | 201310718885.4 | 申请日: | 2013-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN104733493B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 汪锐;高孝裕 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽;寇海侠 |
| 地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 像素 电路 驱动 方法 及其 应用 | ||
本发明涉及一种像素电路和驱动方法及其应用,所述像素电路还包括附加电容,所述附加电容的一端用于与第一电源ELVDD相连,所述附加电容的另一端与所述连接点N2和所述第一电容C1的一端相连,所述附加电容利用像素电路中空余空间制作。在所述第一电容C1的一端串联了附加电容,充分利用像素中一些空余空间和必要走线制作,使得整个所述像素电路中的电容值增大,在扫描控制信号跃迁到高电平的时间段,稳定N2点的电位,从而稳定了第三晶体管T3的栅极电源,相应的电压存储在附加电容中,提高了像素电路的对比度和电路稳定性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体是一种像素电路和驱动方法及其应用。
背景技术
AMOLED(英语全称为:Active-matrix organic light-emitting diode意为有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体),是一种应用于电视和移动设备中的显示技术。其中AM(有源矩阵体或主动式矩阵体)指的是背后的像素寻址技术,OLED(有机发光二极体)描述的是薄膜显示技术的具体类型-有机电激发光显示。有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD),OLED具有高对比度,广视角,低功耗,体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
为了提高显示器的分辨率,AMOLED中的像素尺寸越来越小,使得每个像素中用于方式储存电容器的面积也必须相应地缩小,进而使得存储电容的电容值也相应减小,造成像素的关态电流造成的电压改变较大,降低了像素电路的对比度,最终影响电路稳定性。
发明内容
为此,本发明所要解决的是现有像素尺寸减小导致的存储电容的电容值减小带来的影响电路稳定性的技术问题,提供一种像素电路和驱动方法及其应用。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
一种像素电路,包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第一电容C1,每个所述晶体管均具有栅极、源极和漏极;其中,所述第一晶体管T1的栅极与所述第三晶体管T3的栅极相连且连接点为N2,所述第一晶体管T1的源极与其驱动的像素所在列的数据线相连,所述第一晶体管T1的漏极与所述第二晶体管T2源极相连,所述第二晶体管T2的漏极与所述第一电容C1的一端相连,所述第一电容C1的另一端与复位电源VREF相连,所述第二晶体管T2的栅极与其驱动的像素所在行的第二扫描控制信号相连;所述第三晶体管T3的源极用于与第一电源ELVDD相连,所述第三晶体管T3的漏极与所述第四晶体管T4的源极相连,所述第四晶体管T4的漏极形成所述像素电路的输出端N1,所述第四晶体管T4的栅极用于与其驱动的像素所在行的第一扫描控制信号相连;所述第五晶体管T5的源极与所述连接点N2相连,所述第五晶体管T5的漏极与复位电源VREF相连,所述第五晶体管T5的栅极用于与其驱动的像素所在行的第三扫描控制信号相连;还包括制造在所述像素电路版图的空余位置处的附加电容,所述附加电容的一端用于与第一电源ELVDD相连,所述附加电容的另一端与所述连接点N2和所述第一电容C1的一端相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310718885.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机电致发光装置及其制造方法
- 下一篇:图像感测器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





